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武汉市科技供需对接计划项目(201150124019)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：熊娟秦杰顾豪爽钟伟明更多>>
相关机构：湖北大学更多>>
发文基金：武汉市科技供需对接计划项目湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇溅射
  • 1篇半导体
  • 1篇ALN
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁性
  • 1篇磁性研究

机构

  • 1篇湖北大学

作者

  • 1篇钟伟明
  • 1篇顾豪爽
  • 1篇秦杰
  • 1篇熊娟

传媒

  • 1篇湖北大学学报...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究被引量：1
2012年
采用射频磁控溅射的方法制备掺Ni的AlN薄膜Al1-xNixN(x=0.021、0.047、0.064、0.082),薄膜样品沿AlN(100)晶向生长.利用振动样品磁强计研究其磁性能,发现样品在室温下均具有铁磁性,随Ni掺杂量的增加,饱和磁矩先减小后增大,最大矫顽力达104Oe.结合X线光电子能谱分析,推断掺杂Ni原子进入AlN晶格取代了Al的位置,样品的铁磁性可以用Ni与相邻N原子之间的p-d杂化机制来解释.
钟伟明秦杰熊娟顾豪爽
关键词：稀磁半导体射频磁控溅射室温铁磁性
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