山西省自然科学基金(2007011047)
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- 1．3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器的设计
- 2008年
- 分析了导模-辐射模耦合理论和利用经塔米尔的传输回路方法论改造过的扰动理论进行解析的结果。根据上述理论对1.3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器波导层的厚度、槽形、长度、宽度、周期、槽深等做了近似的设计。
- 徐勤昌刘淑平
- 关键词：光栅耦合器
- SiGe/Si异质结的基本特性及其探测器的应用前景
- 2010年
- 综述了SiGe应变层的基本性质,包括SiGe应变层的临界厚度与超晶格的稳定性、带隙和能带变化、折射率增量以及等离子色散效应。总结了材料生长中释放应力的两种形式,包括位错和表面起伏。最后介绍了SiGe/Si应变量子阱光电探测器和红外焦平面阵列探测器的进展及其应用前景。
- 付朝雪刘淑平
- 关键词：SIGE/SI异质结超晶格光电探测器
- Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si异质结单模共面布拉格反射波导光栅的设计与分析
- 2008年
- GeSi/Si异质结布拉格反射光栅是硅基光电集成领域一种重要的集成光学器件,分析GeSi/Si异质结的传光特性和布拉格条件,通过求解布拉格光栅方程,得出耦合系数和耦合效率。利用上述原理设计出入射角为66°,波导层的厚度为2μm,光栅长度为4 252μm,槽深为0.05μm,光栅周期为0.456μm,滤波带宽为0.214 nm,耦合效率为84.1%的1.3μm Ge0.05Si0.95/Si异质结单模共面布拉格反射光栅,并用数值模拟了入射光波电场和反射光波电场的分布。
- 徐勤昌刘淑平郭云香
- 关键词：电场分布
- GeSi/Si异质结光波导光栅耦合器的设计与模拟
- 2008年
- GeSi/Si异质结光波导是硅基光电集成(OEIC)领域一种重要的连接器件,研究其光的输入耦合,提高耦合效率有着重要的意义。通过分析导模—辐射模的耦合理论求得光栅耦合器的辐射损耗系数,设计分析了波导层厚度为2500 nm,入射波长为1300 nm的单模Ge0.05Si0.95/Si异质结波导光栅耦合器的周期、长度和槽深,得出从空气中输入角为75°(从衬底中入射角为16°)时,周期为0.512μm,槽宽为0.256μm,光栅长度为2.3 mm,从空气侧输入时耦合效率为22.5%,从衬底输入时耦合效率为46.3%,并对其输入、输出光场进行了数值模拟。
- 徐勤昌刘淑平
- 关键词：光电集成光栅耦合器
