国家重点基础研究发展计划(51327020102)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：何秀坤秦涛曹全喜李劼董彦辉更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学中国电子科技集团公司天津电子材料研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 半绝缘半导体切片电阻率无接触测定方法研究被引量：1
- 2009年
- 与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的。文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容器、测试条件、测试过程及结果计算。
- 秦涛何秀坤董彦辉李劼
- 关键词：电阻率电容器
- 用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷
- 2009年
- 用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征。通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等。从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法。
- 李劼章安辉何秀坤曹全喜秦涛
- 关键词：微管SIC计数
- 掺氮6H-SiC单晶的电阻率、迁移率及自由载流子浓度被引量：1
- 2006年
- 测试了国产和美国Cree公司生产的n型6H-SiC低温下的电学参数,包括电阻率、迁移率和自由载流子浓度,并用FCCS软件数据拟合分析得到两种SiC的杂质浓度和能级.实验结果表明:杂质浓度和补偿度对低温下SiC的电性能有很大影响,轻度补偿的掺氮6H-SiC是施主氮的两个能级共同起作用;而重度补偿的6H-SiC在低温时则是受主能级起作用,并且后者迁移率随温度变化曲线的峰值降低并右移.同时发现重度补偿的SiC在较低温度时由n型转变成了p型,并从理论上分析了产生这种现象的原因.
- 杨晶晶何秀坤曹全喜施亚申
- 关键词：施主受主补偿度分布函数
