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国家自然科学基金(NSF50730009)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：闫桂珍杨振川丁海涛更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇深刻蚀
  • 1篇热传递
  • 1篇刻蚀
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子深刻...

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇丁海涛
  • 1篇杨振川
  • 1篇闫桂珍

传媒

  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法被引量：2
2010年
提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法,尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属,以加强刻蚀过程中产生的热量的消散,降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验证了该方法的有效性.同时,金属层也抑制了刻蚀离子所带电荷在绝缘介质层上的积累,防止了自建电场的产生,抑制了notching效应.该方法通过扫描电子显微镜的测量也得到了实验验证.加工了一个SOI梳齿驱动器,检验了本方法的有效性和适应性.
丁海涛杨振川闫桂珍
关键词：反应离子深刻蚀热传递
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共1页<1>
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