北京市优秀人才培养资助(20071B0500500158)
- 作品数：2 被引量：8H指数：1
- 相关作者：佟拉嘎张磊夏瑾王爽卢一民更多>>
- 相关机构：北京石油化工学院北京化工大学更多>>
- 发文基金：北京市优秀人才培养资助更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 聚3-己基噻吩和3-十二烷基噻吩的合成研究被引量：7
- 2008年
- 采用FeCl3法合成了聚3-己基噻吩(P3HT)和聚3-十二烷基噻吩(P3DDT),用GPC法和1H-NMR法对结构进行了表征,用Tg法研究了它们的热稳定性,并对溶液和薄膜的紫外-可见吸收性能、光致发光性能和能隙进行了对比研究。P3HT和P3DDT溶液最大吸收峰分别在420nm和413nm,相应的发射峰分别为602nm和573nm;薄膜的最大吸收峰分别为430nm和415nm,相应的发射峰分别为622nm和589nm,它们的禁带宽度分别为1.9eV和2.2eV。
- 王爽周海佟拉嘎卢一民杨英歌夏瑾张磊
- 一维取代聚噻吩的电子性能被引量：1
- 2009年
- 报道了3种取代聚噻吩,3-己基聚噻吩(P3HT)、3,4-二戊基聚噻吩(P34PT)、3-辛氧基聚噻吩(P3OOT)的合成方法1、H-NMR测试结果及UV-Vis吸收光谱和荧光光谱分析结果。用密度泛函方法计算了无取代噻吩、3-乙基噻吩、3,4-二乙基噻吩、3-乙氧基噻吩二聚体的电子性能。随聚合度的提高,聚合物能隙变窄。无取代噻吩二聚体的能隙为4.216 eV,重复单元长度为0.392 7 nm;乙基取代噻吩二聚体的能隙为4.733 eV,重复单元长度为0.393 9 nm;乙氧基取代噻吩二聚体的能隙为3.890 eV,重复单元长度为0.390 8 nm;双乙基取代噻吩二聚体的能隙为5.168 eV,重复单元长度为0.392 5 nm。理论变化规律与实验结果基本一致。
- 佟拉嘎荣华林世静任明慧
- 关键词：密度泛函方法电子性能
