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国家自然科学基金(60376033): 作品数：17 被引量：23H指数：3; 相关作者：金冬月谢红云王扬邱建军张正元更多>>; 相关机构：北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金北京市教委资助项目更多>>; 相关领域：电子电信农业科学一般工业技术更多>>

横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)被引量：1: 2007年; 从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著。发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB。; 高攀张万荣邱建军杨经纬金冬月谢红云张静张正元刘道广王健安徐学良; 关键词：HBT SIGE

Multi-Finger Power SiGe HBT with Non-Uniform Finger Spacing被引量：1: 2007年; A multi-finger power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） with non-uniform finger spacing was fabricated to improve thermal stability. Experimental results show that the peak temperature is reduced by 22K compared with that of an HBT with uniform finger spacing in the same operating conditions. The temperature profile across the device can be improved at different biases for the same HBT with non-uniform finger spacing. Because of the decrease in peak temperature and the improvement of temperature profile, the power SiGe HBT with non-uniform spacing can operate at higher bias and hence has higher power handling capability.; 金冬月张万荣沈珮谢红云王扬; 关键词：HBT POWER

射频功率HBT自加热效应及补偿方法被引量：2: 2006年; 从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系。结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE)。; 金冬月张万荣吴春瑜; 关键词：异质结双极晶体管自加热效应 I-V特性镇流电阻

SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化: 2007年; 模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响。在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻。模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏置点不受影响,三阶交调信号幅度最小,功率增益平坦度得到改善,而且S参数也能满足功放的要求。; 何莉剑张万荣谢红云张蔚; 关键词：功率放大器偏置电阻

SiGe HBT高频噪声特性研究被引量：2: 2007年; 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大。结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%。; 高攀张万荣谢红云邱建军沙永萍金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳; 关键词：硅锗异质结双极型晶体管

改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文): 2009年; 提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善。上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加,从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处。此外,与均匀指间距结构器件相比,其热阻改善13.71%,热退化功率水平提高22.8%。因此,模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性。; 金冬月张万荣谢红云沈珮胡宁甘军宁李佳; 关键词：SIGE HBT 热稳定性

微波功率SiGe HBT研究进展: 2006年; Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。; 张万荣张蔚金冬月谢红云肖盈王扬李佳沈佩; 关键词：SIGE/SI 异质结晶体管微波功率器件

多发射指分段结构功率SiGe HBT的优化设计: 本文提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性,并将传统的非均匀条间距技术与分段结构设计相结合,对功率SiGe HBT进行了优化设计。通过三维热模拟,我们得到了非均匀段间距设计（符合...; 王扬张万荣谢红云金冬月张蔚何丽剑沙永萍; 关键词：优化设计热模拟; 文献传递

SiGe/Si HBT低频噪声特性研究被引量：2: 2006年; 对Si/Si1-xGexHBT的低频噪声进行了模拟。频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响。模拟结果表明,Si/SiGeHBT具有优异的低频噪声特性。; 张万荣高攀金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳; 关键词：SIGE/SI 异质结晶体管低频噪声

SiGe/Si HBT高频噪声特性研究被引量：4: 2006年; 基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。; 张万荣邱建军金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳; 关键词：SIGE 异质结晶体管

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