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中国工程物理研究院科学技术发展基金(20060427)

作品数:2 被引量:9H指数:2
相关作者:刘国栋罗福王贵兵付博江继军更多>>
相关机构:中国工程物理研究院更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇飞秒
  • 2篇飞秒激光
  • 1篇载流子
  • 1篇绝缘衬底
  • 1篇光学
  • 1篇硅表面
  • 1篇
  • 1篇超快动力学
  • 1篇超快光学
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 2篇付博
  • 2篇王贵兵
  • 2篇罗福
  • 2篇刘国栋
  • 1篇李剑峰
  • 1篇王伟平
  • 1篇江继军

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
单晶硅表面载流子动力学的超快抽运探测被引量:8
2008年
利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面50 ps内的瞬态反射率变化,研究了表面载流子的超快动力学过程。基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化,说明受激自由载流子超快响应的贡献主导了反射率的变化过程,经拟合获得了样品的表面复合速度(SRV)为1.2×106cm/s。建立了耦合的载流子输运模型,探讨了单晶硅表面热载流子的密度、温度随时间的演化过程。研究表明,表面复合过程是影响本征单晶硅表面载流子动力学的重要因素。
刘国栋王贵兵付博江继军王伟平罗福
关键词:超快光学飞秒激光
绝缘衬底上硅表面载流子的超快动力学研究被引量:4
2009年
利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了具有不同单晶硅薄膜厚度的绝缘衬底上硅(SOI)皮秒瞬态反射率变化,并通过基于受激载流子密度和温度变化过程建立的反射率模型讨论了SOI表面载流子的超快动力学过程。研究表明,表面复合速度(SRV)是影响载流子动力学响应的主要因素,且薄膜厚度越小表面复合速度就越大,对应的表面态密度可达到10^(15)cm^(-2)。对于较小的SRV,受激载流子的超快响应决定了瞬态反射率变化;而对于较大的SRV,晶格温升对瞬态反射率变化的贡献变得显著,使得反射率在更短的时间内恢复并超过初始值。
刘国栋王贵兵李剑峰付博罗福
关键词:飞秒激光
共1页<1>
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