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国家自然科学基金(50472037)

作品数:24 被引量:86H指数:6
相关作者:韦志仁董国义高平李军刘超更多>>
相关机构:河北大学保定学院烁光特晶科技有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省科技攻关计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 24篇中文期刊文章

领域

  • 21篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 13篇晶体
  • 12篇水热
  • 11篇水热法
  • 11篇热法
  • 6篇ZNO晶体
  • 5篇导体
  • 5篇稀磁半导体
  • 5篇半导体
  • 4篇水热法合成
  • 4篇水热合成
  • 4篇热法合成
  • 4篇热合成
  • 4篇纳米
  • 3篇氧化锌
  • 3篇氧化钛
  • 3篇二氧化钛
  • 3篇SN
  • 3篇ZN
  • 3篇ZNO
  • 3篇磁性

机构

  • 22篇河北大学
  • 3篇保定学院
  • 2篇烁光特晶科技...
  • 1篇交通部公路科...
  • 1篇北京中材人工...

作者

  • 19篇韦志仁
  • 7篇董国义
  • 7篇高平
  • 5篇刘超
  • 5篇林琳
  • 5篇刘清波
  • 5篇李军
  • 4篇郑一博
  • 4篇葛世艳
  • 4篇张华伟
  • 4篇罗小平
  • 4篇张晓军
  • 3篇杨志平
  • 3篇刘冲
  • 3篇马玲鸾
  • 3篇王颖
  • 3篇付三玲
  • 2篇张利明
  • 2篇胡志鹏
  • 2篇李志强

传媒

  • 16篇人工晶体学报
  • 2篇河北大学学报...
  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 6篇2006
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnO and Zn1-xMnxO Minicrystal by CVT and Temporal Process of Photoelectrons
2006年
The ZnO and Zn1-xMnxO minicrystal were synthesized by chemical vapor transport (CVT). The electron trap structure (donor level) and process on the temporal behavior of photoelectrons of materials were respectively studied by thermo-luminescence and microwave absorption dielectric spectrometry. There are two peaks in the thermo-luminescence spectra in pure ZnO, one is -183 ℃ and the other is -127 ℃, which shows two kinds of electron trap energy level produced by the intrinsic defects in ZnO;but obtain very low thermo-luminescence that only equals to ten percent of pure ZnO in Zn1-xMnxO, which shows that its intensity of electron trap is less. The studies of microwave absorption dielectric spectrometry show that conduction band photoelectrons are two-step exponential decay process in ZnO, the lifetime of rapid process is 83 ns, while slow process is 828 ns, the reason of delay is relaxation effects of electron trap to conduction band photoelectrons. The intensity of electron trap is less in Zn1-xMnxO minicrystal, the relaxation effects of conduction band photoelectrons from electron trap is little, so electrons disappeared quickly at conduction band, and the decay process of photoelectrons is only 10~20 ns.
Dong Guoyi Lin Lin Zhang Xiaojun Wei Zhiren
关键词:ZNOTHERMO-LUMINESCENCEPHOTOELECTRON
Effect of Mn Doping ZnO on Morphology and Magnetism Synthesized by Hydrothermal Method
2006年
The diluted magnetic semiconductor Zn_(1-x)Mn_(x)O crystals were synthesized at 430℃for 24 h by hydrothermal method.The mineralizer is 3 mol·L^(-1)KOH,and fill factor is 35%.The Mn concentration in crystal was determined by electron probe.The atomic percentage of Mn in crystal increases as the concentration of MnCl_(2)·6H_(2)O in precursor increases.The maximum of the Mn concentration in crystal is above 8%.The morphology of the crystal varies with the concentration of MnCl_(2)·6H_(2)O in precursor increases.And they all show the hexagonal feature of ZnO wurtzite.The measurement of magnetism was carried out by using a superconducting quantum interference device(SQUID).The crystals show low-temperature ferromagnetism with Curie temperature of 50 K.
Wei ZhirenLiu ChaoLi JunGe ShiyanLin LinZhang HuaweiDong Guoyi
关键词:HYDROTHERMALZNOCRYSTAL
常压化学水解反应生长氧化锌晶体
2007年
采用ZnCl2.2H2O在常压下高温水解反应生长ZnO晶体,反应温度为500℃。当以SiC为衬底时,可以获得六棱柱形氧化锌晶体,直径约为10μm,长为30-100μm。当衬底为蓝宝石时,氧化锌沿[0001]呈定向柱状生长,柱的直径为5-10μm,柱之间具有较多的内部缺陷。当以ZnO为衬底时,在{0001}面,形成连续膜,表面扫描电镜分析表明,晶体具有明显的极性生长特征,[0001]方向呈螺旋柱状生长。在{0001-}面,晶体的平整性较好,呈现台阶性生长。
蔡淑珍秦向东高平李哲罗小平胡志鹏付三玲韦志仁
关键词:氧化锌衬底
高填充度水热法合成SnO<sub>2</sub>晶体被引量:2
2012年
本文采用水热法,以SnO2为前驱物,3 mol/L KOH作矿化剂,高温430℃,反应24 h,填充度60%,合成了尺度超过20μm的金红相SnO2晶体。当填充度40%时,合成晶体的尺度只有200 nm。对合成材料进行X射线衍射谱(XRD)和扫描电镜(SEM)测量,说明SnO2在高温水热、矿化剂作用下,具有很强的溶解性,其溶解后再结晶形成质量更好的晶体,高填充度产生的高压作用使SnO2发生更充分的溶解和再结晶,形成大的微米级晶体,也说明了可以利用水热方法制备大尺度SnO2单晶。
傅广生刘清波韦志仁高平董国义
关键词:水热法SNO2晶体
水热法合成Zn_(1-x)Co_xO室温稀磁半导体被引量:4
2006年
本文采用水热法,在430℃,填充度为35%,3mol/L KOH作为矿化剂,反应时间为24h,合成了Zn1-xCoxO晶体。当在Zn(OH)2中添加一定量的CoC l2.6H2O为前驱物时,水热反应产物中,可以获得多晶体形态的掺杂Zn1-xCoxO晶体。电子探针测量表明,随着前驱物中CoC l2.6H2O添加量的增加,晶体中的Co实际掺入量也随着增加。采用超导量子干涉磁强仪测量材料的磁性,发现在室温以下,水热法合成的Zn1-xCoxO晶体的磁化强度随温度变化很小,在300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温下铁磁性。
韦志仁刘超李军林琳郑一博葛世艳张华伟窦军红
关键词:水热合成矿化剂稀磁半导体晶体
掺Sn金红相TiO_2纳米晶的水热制备(英文)被引量:1
2007年
本文采用水热法,以TiCl3和SnCl4.5H2O水溶液为前驱物,在180℃温度下反应24h。X能谱(EDS)显示:当前驱物中Ti3 +、Sn4 +离子比为4:1时,所得复合半导体纳米晶体中掺入的Sn的原子百分比为1%;当前驱物中Ti3 +、Sn4 +离子比为1:1时,掺入Sn的原子百分比为2.8%。实验结果表明在TiO2金红相中进行晶格替代掺杂是比较困难的。
韦志仁罗小平付三玲李哲胡志鹏高平王伟伟董国义
关键词:水热法复合纳米晶
金属离子掺杂ZnO晶体的制备及其光催化性能的研究被引量:3
2011年
本文采用水热合成法,以3 mol/L KOH为矿化剂,填充度为35%,分别在ZnO中添加SnCl4.5H2O、CoCl2.6H2O、NiCl2.6H2O作为前驱物,温度430℃,反应24 h,合成几种金属离子掺杂的ZnO晶体。采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对其形貌进行了表征。并与用同种方法合成的纯ZnO的光催化效率进行了对比。结果表明:金属离子掺杂的ZnO晶体和用同种方法合成的纯ZnO晶体对亚甲基蓝均具有光催化活性,其中Sn掺杂的ZnO晶体的光催化性能较好,并且经过10次循环实验后仍保持较高的催化效率。
韦志仁王颖高琳洁刘清波马玲鸾
关键词:水热法ZNO晶体金属掺杂光催化降解
Sn掺杂对ZnO晶体形貌和磁性的影响被引量:14
2007年
采用水热法,在ZnO中添加SnCl2.2H2O作前驱物,3M KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,合成了掺杂Sn的ZnO晶体。当前驱物中添加SnCl2.2H2O可以明显影响部分晶体形态,使正极面c轴方向的生长速度受到抑制,较大面积显露正极面c{0001},同时也显露负极面-c{000 1}、正锥面p{10 10}、负锥面-p{101 1}和柱面m{10 10}。磁性测量结果显示Sn可微量掺入ZnO晶格中,且呈现顺磁性特征。X射线衍射和X光荧光能谱分析表明,SnCl2.2H2O的添加量较大时,还伴随生成金红相SnO2棒状晶体。
韦志仁王伟伟蔡淑珍付三玲李军刘超董国义
关键词:氧化锌水热法晶体磁性
掺钴氧化锌稀磁半导体的SEM及X射线能谱微分析研究被引量:2
2009年
采用水热法,以CoCl2.6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS)对合成晶体的微观形貌、表面及内部掺杂元素Co的相对含量和分布的均匀性进行了研究。研究结果表明:水热法合成的掺Co氧化锌晶体具有多种微观形貌,较大的晶体具有极性生长特性。随晶体形貌不同,显露面也发生了相应改变。不同微观形貌的晶体其Co含量有所差异,较大的晶体掺杂Co元素相对含量大于较小的晶体,+c(1011)显露面Co元素的含量比+c(1010)面高,锥柱状晶体其区别尤为明显。大的晶体内部存在着少量的氧化钴团簇,晶体表面与晶体内部Co元素分布相对均匀。由于Co2+具有磁性,因此,氧化钴团簇的存在将对氧化锌稀磁半导体晶体的磁性产生一定的影响。
仇满德姚子华韦志仁翟永清田帅张爽
关键词:稀磁半导体ZNO晶体水热法
蓝白色荧光材料Sr2SiO4:Ce^3+的溶胶-凝胶法制备及发光性能研究被引量:6
2008年
采用溶胶-凝胶法,在空气环境中合成了蓝白色Sr2SiO4:Ce3+荧光材料,合成温度为900℃,这远低于固相法制备同类硅酸盐材料所需温度.X射线衍射图表明,所得样品主要为纯相Sr2SiO4晶体.由扫描电子显微镜图像可知,样品一次颗粒尺度在2μm以下.处于254 nm紫外光激发下,样品发射光谱为峰值位于472 nm的不对称单峰宽带谱,是典型的蓝白光发射.监测472 nm发射峰,得到其激发谱为近紫外连续光谱峰值位于272 nm,321 nm.通过改变Ce3+浓度,进一步研究了参杂浓度对发光强度的影响.
杨志平赵金鑫刘冲
关键词:溶胶-凝胶法荧光材料发光性质
共3页<123>
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