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Cu-In系中Cu_(11)In_9相的生长动力学研究被引量：4: 2009年; 采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶。将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90min的热处理。实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu_(11)In_9相;将Cu_(11)In_9相的厚度与热处理时间的关系按经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu_(11)In_9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制。; 谭艳芳潘勇欧铜钢周兆锋; 关键词：金属间化合物生长动力学扩散

In掺杂ZnO薄膜的电沉积制备及电流密度对薄膜光电性能的影响: <正>用电化学沉积的方法制备In掺杂ZnO薄膜以取代CIGS薄膜太阳能电池中的CdS层,使得CIGS薄膜太阳能电池可以完全通过电沉积的方法制备。在含有ZnCl_2和InCl_2的非水二甲基亚砜溶液中,采用阴极电化学沉积法...; 郑军潘勇欧铜钢谭艳芳范清喜; 关键词：CIGS薄膜太阳能电池电化学沉积电流密度光电性能; 文献传递

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湖南省科技计划项目(2007GK3064)