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教育部重点实验室开放基金(2009-4)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:何火军陈新安更多>>
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相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇漂移
  • 1篇迁移率
  • 1篇温度漂移

机构

  • 1篇绍兴文理学院
  • 1篇华越微电子有...

作者

  • 1篇陈新安
  • 1篇何火军

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
2012年
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。
鄢细根何火军陈新安
关键词:温度漂移载流子浓度载流子迁移率
共1页<1>
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