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国家高技术研究发展计划(2002AA302496)
作品数:
1
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相关作者:
徐桂英
徐亚东
葛昌纯
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相关机构:
北京科技大学
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发文基金:
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国家高技术研究发展计划
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2008
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热等静压制备N型Si_(95)Ge_5合金及其热电性能
2008年
采用热等静压的工艺合成了掺杂GaP量为≤2.0%(摩尔分数)的N型Si95Ge5固溶体合金,对合成后的样品进行了物相结构分析及对微观形貌进行了表征,并研究了在室温下GaP掺杂量对载流子浓度、电导率、Seebeck系数及功率因子的影响。对于复合掺杂(P+GaP)的N型Si95Ge5合金,试验结果表明:Seebeck系数在GaP掺杂量为0.5%(摩尔分数)时最小,之后随着GaP掺杂量在0.5%~1.5%范围内的增加而增加;电导率在GaP掺杂量小于1.5%范围内随GaP掺杂量的增加而单调增加;GaP的掺杂量在0.5%~1.5%范围内时,其功率因子在303K时达到最大值。
徐亚东
徐桂英
葛昌纯
关键词:
热电材料
SIGE合金
热电性能
热等静压
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