您的位置: 专家智库 > >

福建省自然科学基金(2012J1277)

作品数:2 被引量:3H指数:1
相关作者:王加贤梁莉林正怀陈狮吕晓敏更多>>
相关机构:华侨大学更多>>
发文基金:福建省自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电感耦合
  • 1篇电感耦合等离...
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇离子
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇被动调Q
  • 1篇ND
  • 1篇YVO
  • 1篇AR
  • 1篇GAAS材料
  • 1篇H
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇华侨大学

作者

  • 2篇王加贤
  • 1篇陈狮
  • 1篇邱伟彬
  • 1篇林正怀
  • 1篇吕晓敏
  • 1篇梁莉

传媒

  • 1篇华侨大学学报...
  • 1篇量子光学学报

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
石墨烯实现Nd:YVO_4激光器1064nm和1342nm激光的被动调Q被引量:3
2013年
在激光二极管(LD)泵浦的Nd:YVO4激光器中,采用石墨烯分散液作为可饱和吸收体,分别实现1064nm和1342nm激光的被动调Q;获得平均输出功率为0.52 W,脉宽为7.7ns,重复频率为105kHz的1342nm调Q脉冲序列和平均输出功率为0.62 W,脉宽为6.06ns,重复频率为138kHz的1064nm调Q脉冲序列。测量石墨烯分散液对低功率连续激光的吸收系数与入射功率之间的关系,结果表明样品对1342nm和1064nm激光均存在可饱和吸收,但是对1342nm激光吸收的饱和光强较低,由此分析1064nm和1342nm调Q脉冲的差别。
陈狮林正怀梁莉王加贤
关键词:石墨烯被动调QND
利用SiCl_4/Ar/H_2气体ICP干法刻蚀GaAs材料
2013年
利用SiCl4/Ar/H2气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀GaAs材料,研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响.结果表明:在反应气体SiCl4,Ar和H2的流量分别为2,4,1mL.min-1,样品室压力为0.400Pa,RF1和RF2的功率分别为120,500 W的最佳优化参数下,得到的刻蚀速率为486nm.min-1,且同时满足垂直而光滑的台面.利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10min后,得到大面积的光滑表面,其粗糙度为0.20nm.
吕晓敏邱伟彬王加贤
关键词:GAAS干法刻蚀电感耦合等离子体
共1页<1>
聚类工具0