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国家自然科学基金(60723002)

作品数:24 被引量:134H指数:4
相关作者:罗毅韩彦军李洪涛汪莱赵维更多>>
相关机构:清华大学吉林大学中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 9篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 6篇发光
  • 5篇氮化镓
  • 3篇蓝宝
  • 3篇蓝宝石
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 3篇半导体
  • 3篇GAN
  • 3篇INGAN
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇有机电致发光
  • 2篇有机电致发光...
  • 2篇膜厚
  • 2篇集成封装
  • 2篇发光器件
  • 2篇封装
  • 2篇半导体照明
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇ALN

机构

  • 13篇清华大学
  • 3篇吉林大学
  • 2篇吉林师范大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇勤上光电股份...
  • 1篇厦门市三安光...

作者

  • 13篇罗毅
  • 9篇韩彦军
  • 6篇李洪涛
  • 6篇汪莱
  • 5篇赵维
  • 4篇郝智彪
  • 4篇孙长征
  • 3篇席光义
  • 3篇江洋
  • 3篇李同
  • 3篇谢文法
  • 3篇张天瑜
  • 2篇熊兵
  • 2篇黄永箴
  • 2篇徐建明
  • 2篇姜文龙
  • 2篇任凡
  • 2篇张刚
  • 1篇袁贺
  • 1篇张辰

传媒

  • 5篇物理学报
  • 4篇光电子.激光
  • 4篇Chines...
  • 3篇半导体光电
  • 2篇Scienc...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 7篇2011
  • 8篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Effects of InGaN barriers with low indium content on internal quantum efficiency of blue InGaN multiple quantum wells被引量:1
2010年
Blue In0.2Ga0.8N multiple quantum wells (MQWs) with InxGa1-xN (x = 0.01 - 0.04) barriers are grown by metal organic vapour phase epitaxy. The internal quantum efficiencies (IQEs) of these MQWs are studied in a way of temperature-dependent photoluminescenee spectra. Furthermore, a 2-channel Arrhenius model is used to analyse the nonradiative recombination centres (NRCs). It is found that by adopting the InGaN barrier beneath the lowest well, it is possible to reduce the strain hence the NRCs in InGaN MQWs. By optimizing the thickness and the indium content of the InGaN barriers, the IQEs of InGaN/InGaN MQWs can be increased by about 2.5 times compared with conventional InGaN/GaN MQWs. On the other hand, the incorporation of indium atoms into the intermediate barriers between adjacent wells does not improve IQE obviously. In addition, the indium content of the intermediate barriers should match with that of the lowest barrier to avoid relaxation.
汪莱王嘉星赵维邹翔罗毅
BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线被引量:3
2008年
面向高速行波电吸收(EA)调制器的需要,设计并制作了基于苯并环丁烯(BCB)聚合物/InP衬底的宽带(0~40GHz)、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计,分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化。结果表明,当设计的BCB膜厚为4μm、InP衬底导电率小于0.002(Ω·cm)^-1和信号线宽度为84μm时,微波传输性能可达最优。在此基础上,采用电阻率为10^8μΩ·cm的半绝缘(SI)InP衬底、涂覆4μmBCB薄膜,制作出0~40GHz范围内微波损耗小于0.5dB/mm的共面波导传输线。
侯海燕熊兵徐建明周奇伟孙长征罗毅
关键词:共面波导苯并环丁烯
柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响被引量:7
2009年
在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.
江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
关键词:蓝宝石图形衬底氮化镓
集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化被引量:7
2014年
基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管(LED)集成封装器件COB(Chip On Board)能效的影响。计算结果表明:在芯片间距小于200μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能效最低,其次为倒装LED COB,垂直结构芯片的能效最大。当芯片间距大于200μm,3种LED COB的能效趋向饱和。芯片尺寸增加或数量减少可使正装和倒装芯片COB的能效上升,而垂直结构COB的能效基本保持不变。加入图形衬底可提高同样尺寸或布局的正装芯片COB封装器件的能效,但使倒装芯片COB的能效恶化。分析表明:芯片的侧面出光量占整个芯片出光量的比值以及相邻芯片材料的吸收对3种类型COB封装器件的能效有决定性影响。文中还针对正装芯片COB设计了新型菱形芯片布局,与常规正方形芯片布局的COB相比,其能效提高了6.2%。
白一鸣罗毅韩彦军李洪涛
关键词:发光二极管集成封装光提取效率蒙特卡罗方法
氮化镓基发光二极管结构中粗化p型氮化镓层的新型生长方法
2011年
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大.经实际制作尺寸为12mil×10mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题.
李水清汪莱韩彦军罗毅邓和清丘建生张洁
关键词:粗化氮化镓发光二极管
AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量:3
2008年
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一.
席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅
关键词:ALGAN/GAN电流崩塌
InGaN量子点的MOVPE生长
本文采用MOVPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中,紫外量子点利用了交替通断源的方法而绿光量子点利用了生长中断的方法。
赵维汪莱郝智彪罗毅
文献传递
Effects of SiN_x on two-dimensional electron gas and current collapse of AlGaN/GaN high electron mobility transistors被引量:1
2010年
SiNx is commonly used as a passivation material for AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). In this paper, the effects of SiNx passivation film on both two-dimensional electron gas characteristics and current collapse of A1GaN/GaN HEMTs are investigated. The SiNx films are deposited by high- and low-frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition, and they display different strains on the AlGaN/GaN heterostructure, which can explain the experiment results.
任凡郝智彪王磊汪莱李洪涛罗毅
AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究被引量:3
2010年
研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRDω扫描半高全宽900—1500arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRDω扫描半高全宽200—300arcsec,(102)面400—500arcsec)和表面粗糙度(0.1—0.2nm).TEM照片表明GaN中位错密度降低的原因是AlN中的一部分位错在AlN和GaN的界面处被终止而未能延伸至GaN中.这可能是因为Ga原子尺寸较大,具有修复晶格缺陷的作用.而当AlN的表面粗糙度较大时,Ga原子在MOVPE生长过程中的迁移受到影响,得到的GaN晶体质量非常差.此外,采用范德堡法测量的GaN电阻率为105—106Ω·cm,比蓝宝石衬底上生长的GaN高大约6个数量级,这被认为是采用AlN代替GaN低温缓冲层所致.
汪莱王磊任凡赵维王嘉星胡健楠张辰郝智彪罗毅
关键词:氮化镓氮化铝
基于烟囱效应的集成封装半导体照明光源散热结构优化设计被引量:4
2013年
针对基于集成封装发光二级管(COB LED)的半导体照明光源,研究了引流孔的形状、尺寸和位置等对基于烟囱效应的散热器的散热特性的影响。CFD仿真模拟表明,对于50W热功率的COB LED散热结构,在导热板上形成两个面积为15cm2、以光源中心对称的矩形引流孔,可在保持COB LED最高温度小于52℃的条件下,将基于烟囱效应的散热器的重量进一步降低15%。实验结果与模拟结果基本一致。
张国旺韩彦军罗毅李洪涛
关键词:COB散热设计烟囱效应
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