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国家重点基础研究发展计划(2009CB62-3304)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王阳培华周济李勃齐西伟更多>>
相关机构：东北大学深圳顺络电子股份有限公司清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇低温共烧陶瓷
  • 1篇电性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇微晶
  • 1篇微晶玻璃
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇氟
  • 1篇氧
  • 1篇玻璃陶瓷

机构

  • 1篇东北大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇深圳顺络电子...

作者

  • 1篇齐西伟
  • 1篇李勃
  • 1篇周济
  • 1篇王阳培华

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氟氧微晶玻璃/二氧化硅系低温共烧陶瓷材料的煅烧行为
2010年
制备SiO2-B2O3-Al2O3-AlF3-Li2O-Na2O-K2O-CaO系氟氧低温微晶玻璃/二氧化硅共烧陶瓷材料,用X射线衍射、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分析讨论氟氧微晶玻璃/氧化硅主晶相的形成、致密性及介电性能。结果表明:氟氧玻璃/氧化硅陶瓷材料体系样品的最佳煅烧温度范围为750～780℃,煅烧时部分玻璃相转变成方石英,有助于进一步降低相对介电常数(εr)和介电损耗(tanδ),在780℃煅烧时,样品的体积密度达到最大值(2.31g/cm-3),此时在1GHz频率测试,εr=4.42,tanδ=3×10-3,所制备的材料是一种在基板、无源集成和电子封装等方向都具有较大应用前景的低温共烧陶瓷材料。
王阳培华齐西伟李勃戴春雷郭海周济
关键词：低温共烧陶瓷玻璃陶瓷介电性能
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