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Thermodynamic Modeling and Phase Diagrams of Hexagonal and Cubic GaN Single-Crystal FilmGrowth by ECR-PEMOCVD Method: 2004年; Based on thermodynamic equilibrium theory,a chemical equilibrium model for GaN g rowth is given in electron cyclotron resonance plasma enhanced metalorganic chem ical vapor deposition (ECR-PEMOCVD) system.Calculation indicates that the growt h driving force are functions of growth conditions:group Ⅲ input partial press ure,input Ⅴ/Ⅲ ratio,and growth temperature.Furthermore,the growth phase diag rams of hexagonal and cubic GaN film growth are obtained,which are consistent wi th our experimental conditions to some extent.Through analysis,it is explained t he reason that high temperature and high input Ⅴ/Ⅲ ratio are favorable for he xagonal GaN film growth.This model can be extended to the similar systems used f or GaN single-crystal film growth.; 王三胜顾彪; 关键词：GAN ECR-PEMOCVD

GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用被引量：8: 2002年; GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用。; 顾彪王三胜徐茵秦福文窦宝锋常久伟邓祥杨大智; 关键词：GAN 材料性质半导体器件半导体材料氮化镓

蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响被引量：1: 2005年; 通过反射高能电子衍射仪(RHEED)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ECR-PEMOCVD 装置中清洗氮化实验表面晶质的RHEED图像,研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底清洗、氮化的实验。结果表明,经常规清洗后的蓝宝石衬底表面晶质差异较大,有些衬底再经通常的30min等离子体清洗是达不到要求的,而要根据情况施行分步清洗才能清洗充分,清洗充分的衬底经20min就可氮化出来,不充分的再长的时间也很难氮化。; 郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢; 关键词：蓝宝石氮化 RHEED GAN

GaN基半导体材料研究进展被引量：8: 2003年; 简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。; 郎佳红顾彪徐茵秦福文; 关键词：半导体激光器激光二极管 GAN薄膜半导体材料 P型掺杂

GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜被引量：4: 2003年; 　采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR PEMOCVD)技术,在α Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测量样品,研究了AlN缓冲层和氮化镓(GaN)对六方AlN外延层质量的影响,实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜。; 秦福文顾彪徐茵杨大智; 关键词：AIN GAN ECR-PEMOCVD

ECR-MOCVD方法GaN单晶薄膜生长热力学分析: 2002年; 基于热力学平衡和化学平衡理论 ,针对电子回旋共振金属有机化学气相沉积(ECR MOCVD)系统生长GaN的特点 ,给出了化学平衡模型和理论分析结果。计算得出了六方GaN的生长驱动力ΔP与生长条件 (Ⅲ族源输入分压P0 Ga 、Ⅴ /Ⅲ比、生长温度 )的关系。发现在 6 0 0～ 90 0℃内GaN沉积生长速率由Ⅲ族源气体的质量输运所控制。计算得到了六方GaN生长的决定因素和相图。理论计算和实验结果通过比较发现是吻合的。; 王三胜顾彪徐茵; 关键词：热力学平衡化学平衡理论

GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用被引量：12: 2002年; Ga N具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了 Ga N基半导体材料的制备方法 ,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用。; 王三胜顾彪徐茵秦福文杨大智; 关键词：基材氮化镓光电器件

蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究被引量：14: 2003年; 通过分析 RHEED(反射高能电子衍射 )图像研究了 ECR(电子回旋共振 )等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石衬底的清洗与氮化作用 ,结果表明 :在 ECR氢等离子体中掺入少量的氮气可以明显提高蓝宝石衬底的清洗效果 ,从而获得平整而洁净的衬底表面 ;而采用 ECR氮等离子体对经过氢氮混合等离子体清洗 2 0 min后的蓝宝石衬底进行氮化 ,能观测到最清晰的氮化铝成核层的 RHEED条纹 ,且生长的 Ga; 秦福文顾彪徐茵杨大智; 关键词：蓝宝石氮化 RHEED GAN

立方GaN结晶薄膜生长中的ECR等离子体: ＜正＞ GaN由于其是宽直接带系（其三元合金GaAIN,GaInN的能隙1.9～6.2eV）发光材料,是近年国际上的研究热点,尽管已有商用GaN蓝光发光二极管投入生产,但其激光二极管（LD）尚在研究开发当中。问题在于用六...; 顾彪徐茵秦福文王三胜隋郁; 文献传递

半导体薄膜生长实时监控系统的设计与应用被引量：1: 2003年; 文章分析了半导体薄膜生长工艺流程的特点。在此基础上 ,为实验室的ECR -MOCVD设备设计了一套半导体薄膜生长的实时监控系统 ,介绍了系统的硬件结构以及在WIN98环境下用VB6 0实现生长实时监控系统软件的实现方法。经实验证明 ,系统保证了工艺流程的连续可靠运行 ,实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高 ,使用方便 ,降低了试验人员的劳动强度 ,实现了预期的设计目标。; 周智猛徐茵刘国涛; 关键词：实时监控系统半导体工业

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