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上海市科委光科技专项(015261047)
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- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 相关机构：中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷的制备及性能研究
- 采用热压通氧烧结工艺制备PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷材料,系统地研究了不同的La含量(x=0.08-0.10)对PLZT陶瓷透过率的影响,当X=10时,材料的透过率达到68%.测试了不同的La含量下的PLZT透...
- 仇萍荪郑鑫森程文秀何夕云丁爱丽
- 关键词：铁电性透过率电光系数
- 文献传递
- PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷的制备及性能研究
- 2004年
- 采用热压通氧烧结工艺制备PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷材料,系统地研究了不同的La含量(x=0.08～0.10)对PLZT陶瓷透过率的影响,当x=10时,材料的透过率达到68%.测试了不同的La含量下的PLZT透明陶瓷材料的电滞回线.用法拉第磁光调制法测量了不同的La含量的PLZT(x/65/35)透明铁电材料在电场下的双折射△n,△n随La含量的增加而下降.
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- 关键词：铁电性透过率电光系数
- SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜
- 2004年
- 用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.
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- SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜
- 用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度迭1.5μm的PLZT薄膜.
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- 文献传递
