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一种直接提取噪声温度参数的方法被引量：2: 2001年; 本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数 (Td ,Tg)的直接提取方法 .该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用 ,并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要因素 .同时由于此方法在参数提取时不依赖于源端阻抗的选择 ,理论上有助于提高参数提取的精度 .本文方法得到的噪声温度参数和其他方法得到的结果有很好的一致性 .; 廖怀林黄如张兴王阳元; 关键词：场效应晶体管

一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型被引量：4: 2001年; 从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型 .同时包含了深亚微米 SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应 (DIBL )、速度饱和效应、自热效应等 .这个模型的参数相对较少并且精确连续。; 廖怀林张兴黄如王阳元; 关键词：深亚微米器件模拟电路 SOI MOSFET

3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：2: 2002年; 用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的平均击穿场强为 16 7MV/cm ,在恒流应力下发生软击穿 ,平均击穿电荷为 2 7C/cm2 .栅介质厚度相同的情况下 ,P+ 栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+; 许晓燕谭静荣高文钰黄如田大宇张兴; 关键词：超薄栅介质软击穿硼扩散

GeSi Source/Drain Structure for Suppression of Short Channel Effect in SOI p-MOSFET's: 2001年; GeSi source/drain structure is purposefully adopted in SOI p MOSFET's to suppress the short channel effect (SCE).The impact of GeSi material (as source only,drain only or both source and drain) on the threshold voltage rolling off and DIBL effect is thoroughly investigated,as well as the influence of the Ge concentration and silicon film thickness.The Ge concentration should be carefully chosen as a tradeoff between the driving current and SCE improvement.The detailed physics is explained.; 黄如卜伟海王阳元; 关键词：SOI

氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响被引量：1: 2003年; p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多晶硅栅中注 N+工艺对栅介质性能的影响 .实验结果表明 :在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散 ,降低了低场漏电和平带电压的漂移 ,改善了栅介质的击穿性能 ,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大 ,需要折衷优化设计 .; 许晓燕谭静荣黄如张兴; 关键词：多晶硅栅介质硼扩散 CMOS

SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析被引量：6: 2001年; 针对 SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟 ,通过改变器件参数 ,比较系统地考察了 SOI器件中瞬态浮体效应 ,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对 CMOS/SOI电路 (以环振电路为例 )的影响 ,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构和参数优化设计 .; 卜伟海黄如徐文华张兴; 关键词：SOI器件浮体效应环振电路集成电路

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国家自然科学基金(69976001)