上海-AM基金(09700713800)
- 作品数：2 被引量：8H指数：1
- 相关作者：阮颖赖宗声陈磊田亮周进更多>>
- 相关机构：华东师范大学上海电力学院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器被引量：7
- 2010年
- 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。
- 阮颖陈磊田亮周进赖宗声
- 关键词：射频功率放大器SIGEBICMOS
- 应用于WCDMA的双频单片SiGe BiCMOS功率放大器被引量：1
- 2011年
- 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换。制造的芯片面积为1.82 mm×2.83 mm,片上集成了开关电路、偏置电路和输入匹配、级间匹配电路。在3.3 V电源电压下测试结果表明,对于band-V(CLR)频段,PA的线性输出功率P1 dB为28.6 dBm,5 dBm输入时,功率附加效率PAE,为34%。对于band-I(IMT)频段,PA的P1 dB为26.3 dBm,PAE为31%。
- 阮颖叶波陈磊赖宗声
- 关键词：功率放大器双频锗硅异质结双极晶体管宽带码分多址
