上海市自然科学基金(07ZR14039)
- 作品数：4 被引量：37H指数：3
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- 相关领域：理学机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 氧化铟纳米线的水热-退火合成及其NO_2气敏性能研究被引量：6
- 2008年
- 以InCl3.4H2O、草酸和氢氧化钠为原料,采用水热-退火路径,合成出了In2O3纳米线。X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明:合成产物为立方相的In2O3纳米线,其直径约为30-50nm,长径比超过40。气敏性能测试结果表明,以该法合成的In2O3纳米线对NO2灵敏度高,选择性好,响应恢复快,可以检测1ppm(i.e.×10-6)的NO2,是一种应用前景良好的NO2敏感材料。
- 程知萱许鹏程潘庆谊徐甲强向群董晓雯
- 关键词：气体传感器纳米线水热氧化铟二氧化氮
- 纳米SiO2／CeO2复合磨粒的制备及其抛光特性研究被引量：25
- 2008年
- 以尿素[CO(NH2)2]、(NH4)2Ce(NO3)6和SiO2为原料,采用均相沉淀法制备1种新型纳米SiO2/CeO2复合磨粒,通过X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、飞行时间二次离子质谱仪和扫描电子显微镜等分析手段对其结构进行表征,并将SiO2/CeO2复合磨粒配置成抛光液在数字光盘玻璃基片上进行化学机械抛光试验.结果表明:所制备的SiO2/CeO2复合磨粒的平均晶粒度为19.64 nm,粒度分布均匀;经过1 h抛光后,玻璃基片的平均表面粗糙度(Ra)由1.644 nm降至0.971 nm;抛光后玻璃基片表面变得光滑、平坦,表面微观起伏较小.
- 肖保其雷红
- 计算机硬盘基片CMP中表面膜特性的分析研究被引量：2
- 2009年
- 目前,普遍采用化学机械抛光(Chemical-mechanical polishing,CMP)技术对计算机硬盘基片(盘片)表面进行原子级平整。CMP加工中,盘片表面膜及其特性对CMP过程及CMP性能具有关键作用。本文分别采用俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、纳米硬度计、电化学极化法等分析手段对盘片表面物理、化学及机械特性进行了研究,发现盘片CMP后表面发生了氧化,氧化膜在盘片的表层,厚度在纳米量级,氧化产物为Ni(OH)2;氧化膜为较软的、疏松的、粗糙的多孔结构;氧化膜的存在加快了盘片表面的腐蚀磨损。结合盘片CMP试验结果,推测盘片的CMP机理为盘片表面氧化生成机械强度较低的Ni(OH)2氧化膜及随后氧化膜的机械和化学去除,二者的不断循环实现表面的全局平面化。
- 雷红
- 关键词：氧化膜
- 氧化铝/聚甲基丙烯酸复合粒子的抛光性能被引量：5
- 2008年
- 在化学机械抛光(CMP)中,为了提高氧化铝磨料的分散稳定性及减少抛光划痕,通过硅烷偶联剂在其表面接枝了聚甲基丙烯酸(PMAA)制得了一种新型的复合粒子(-αAl2O3-g-PMAA)。SEM结果表明,制得的复合粒子分散稳定性明显提高。进而用SPEEDFAM-16B-4M抛光机研究了其在玻璃基片中的抛光性能。抛光后玻璃基片表面的ZYGO表面形貌仪和AFM分析结果表明,在相同的抛光条件下,与纯Al2O3磨料相比,所制得的复合粒子表现出了低的表面粗糙度及划痕。该复合粒子可望用做新型CMP磨粒。
- 雷红张泽芳
- 关键词：化学机械抛光
