国家自然科学基金(60907048)
- 作品数:7 被引量:17H指数:3
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- 中波HgCdTe光导探测器组件的故障树和失效研究
- 2012年
- 讨论了近室温工作的HgCdTe中波光导探测器组件的可靠性问题,包括组件封装失效、引线键合失效和探测器的性能衰减等。通过收集探测器组件的失效信息,对其失效物理化学机制、制造工艺和探测器参数进行了分析,建立了组件的故障树(FTA),为探测器组件的失效分析提供了理论依据。由FTA定性分析得出探测器组件FTA的最小割集;计算了顶事件的失效几率。通过计算底事件概率重要度,得出组件封装失效是探测器组件失效的主要故障途径;同时实验发现,失效组件探测器的少子寿命值有较大的衰减,这可能起源于失效探测器的表面钝化层退化。
- 王韡许金通周青张立瑶李向阳
- 关键词:碲镉汞探测器组件故障树
- 基于正交试验的双离子束溅射沉积系统参数优化设计
- 离子束溅射沉积薄膜技术广泛用于高质量半导体薄膜和光学薄膜的制备工艺,在制备过程中生长条件的选取决定了薄膜的质量和性能。本文采用LDJ-2A-F150双离子束溅射系统在宝石衬底上沉积Au膜,通过正交试验设计优化Au膜沉积参...
- 钱大憨贾嘉汤亦聃乔辉李向阳
- 关键词:正交试验离子束溅射沉积
- 文献传递
- HgCdTe材料的溴-甲醇抛光工艺研究被引量:4
- 2012年
- 碲镉汞(HgCdTe)红外探测器制备中的化学-机械抛光工艺会在碲镉汞材料表面形成一定深度的损伤层。用溴-甲醇化学机械抛光取代溴腐蚀工艺,有效地降低了抛光过程所产生的表面损伤。在溴-甲醇抛光工艺中,可变参数有溶液的浓度比、抛光时间、转盘转速等,不同的参数组合对于抛光效果有不同的影响,经过正交试验可以以较少的试验次数高效经济地得到最佳的溴-甲醇抛光工艺参数组合。以该优化参数进行抛光所得到的碲镉汞材料通过XRD测试以及Ar+刻蚀后表面形貌的测试表明,HgCdTe晶片表面剩余损伤大大减小。
- 张立瑶乔辉李向阳
- 关键词:HGCDTE化学机械抛光XRD
- 紫外光通信误码率测试系统设计被引量:8
- 2012年
- 为了对紫外光通信系统的传输性能进行定量分析,设计了基于FPGA的误码序列发送和接收系统,并在上位机利用labVIEW程序实现了对误码的分析和计算。该系统发射端测试序列采用9阶伪随机m序列,并按照一定的速率传送给LED驱动电路,接收端完成光电信号处理、脉冲序列同步和数据提取,格式化后通过串口发送至上位机进行误码分析。室内测试结果表明,该设计适于完成紫外光通信系统误码率的分析和计算,可以为紫外光通信系统最佳链路的选择提供依据。
- 王荣阳刘福浩李向阳
- 关键词:紫外光通信误码率伪随机码FPGALABVIEW
- 利用二次阳极氧化方法降低N型碲镉汞材料表面复合速度
- 2014年
- 利用微波反射光电导衰退法比较了采用一次阳极氧化和二次阳极氧化的N型碲镉汞材料的非平衡载流子寿命及其随温度的变化,通过与理论值进行比较拟合得到了碲镉汞材料表面复合速度随温度的变化曲线.结果发现,二次阳极氧化方法能够更好地降低材料表面悬挂键的密度,同时减少抛光引入的表面缺陷能级的数量,从而降低材料的表面复合速度,改善材料的非平衡载流子寿命,利于制造出高性能的HgCdTe红外探测器.
- 张立瑶乔辉李向阳
- 关键词:HGCDTE少子寿命
- GaN基雪崩光电二极管及其研究进展被引量:4
- 2014年
- 越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管(APD)的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态,器件内部载流子在高场下发生碰撞离化,从而使探测信号产生增益。首先对GaN基雪崩光电二极管的研究进展进行了回顾,然后重点报道了器件的增益最大可达3×105,介绍了本征层厚度与器件暗电流的关系,简单介绍了正在组建的基于相敏探测的交流增益测试系统,并研究了过剩噪声与调制频率之间的关系,发现在低频波段(30~2 kHz),过剩噪声呈现1/f噪声特性。最后,对盖革模式的雪崩光电二极管的研究进展及应用前景进行了简单介绍。
- 刘福浩许金通王玲王荣阳李向阳
- 关键词:雪崩光电二极管增益暗电流噪声盖革模式
- 光电器件薄膜附着力评价方法的研究进展被引量:1
- 2011年
- 薄膜与衬底的结合性能一直备受关注。在各种情况下,薄膜的性能都依赖于其与衬底的附着力大小。为了提高附着强度,需要深刻理解附着力的机理和开发合适的附着力测试技术。从基准附着力、热力学附着能和实际附着力三个不同角度提供了附着力评价途径。作为广泛使用的附着力粘接测试技术,拉脱法和压带剥落法等方法在大量样品测试方面具有独特优势,可定性、半定量地评价薄膜附着性能。
- 钱大憨贾嘉陈柳炼刘福浩刘飞张立瑶叶柏松李向阳
- 关键词:附着力光电器件测试技术
- 两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命
- 2012年
- 通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较。通过对比发现这两种方法测得的中波和短波材料的结果相差不大。但是对于长波材料,载流子寿命测试结果相差比较大,主要是因为长波材料寿命比较小,在相同的光激发条件下和偏流下,光电导灵敏度小,从而导致测出的信号小,在拟合的过程中偏差较大,导致载流子寿命相差较大。另外,用两种方法在同一短波材料的不同区域进行测试,传统光电导衰退法在材料电极附近测试结果明显偏小,电极区载流子寿命不到其他部分的50%。说明传统光电导衰退法测试载流子寿命受电极的影响比较大。
- 王妮丽刘诗嘉兰添翼赵水平姜佩璐李向阳
- 关键词:少数载流子寿命碲镉汞