公共文化服务平台

GaAs多量子阱的光电流谱: 2000年; 在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm－1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关。; 程兴奎周均铭黄绮; 关键词：GAAS量子阱光电流谱光跃迁

The reflection and interference of electrons at the interface of superlattice被引量：2: 2002年; A new algorithm for the calculation of the electron state of superlattice was proposed. From the electron wave point of view, the reflection and interference of electron wave at the interface of superlattice were accounted for and the electron states of the superlattice were discussed. The electron energy levels calculated using this algorithm are in good agreement with experimental results.; 程兴奎; 关键词：SUPERLATTICE

GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光被引量：1: 2001年; 在温度T =77K ,测量了GaAs/Al0 3Ga0 7As超晶格的光致发光 ,发现在波数 v =1 3 1 56cm- 1和 v =1 2 2 89cm- 1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰 .理论分析表明 ,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光 ;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关 .由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度 .理论计算值与实验结果符合得很好 .; 程兴奎周均铭黄绮; 关键词：GAAS/ALGAAS 超晶格光致发光

GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉: 2001年; 在 77K温度 ,测量了 Ga As/ Al Ga As多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=15 89cm- 1 ,即λ=6 .2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 .; 程兴奎马洪磊周均铭黄绮; 关键词：多量子阱结构光电流

Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉被引量：2: 2001年; 由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致 .; 程兴奎黄柏标徐现刚任红文刘士文蒋民华; 关键词：多量子阱砷化镓 ALGAAS

宽带量子阱红外探测器: ＜正＞量子阱红外探测器较 HgCdTe 红外探测器有许多优点,因而近十年来量子阱红外探测器的研究取得了很大的进展,现已研制出256×256元,256×320元 GaAs 量子阱红外探测器面阵列,并用于手提式红外相机,成为...; 程兴奎周均铭黄绮王文新; 文献传递

超晶格结构中电子的波动性被引量：2: 2001年; 在温度T =77K ,测量了GaAs/AlGaAs超晶格的光电流 ,观测到在ν =15 89cm-1有一个强电流峰 ,而在ν =1779,2 12 9和 2 40 1cm-1附近存在弱电流峰 .分析认为 ,这些电流峰与电子的波动性有关 .; 程兴奎周均铭黄绮; 关键词：超晶格波动性 GAAS/ALGAAS 砷化镓

量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量被引量：3: 2005年; 通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.; 程兴奎连洁王青圃周均铭黄绮闫循领; 关键词：量子阱红外探测器峰值波长多量子阱材料

GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光被引量：1: 2006年; 在室温下测量了GaAs/A l0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波长λ=761 nm处存在一较强的发光光峰,此发光峰目前尚未见报道。经理论分析表明,此峰是量子阱中的第一激发态电子与受主空穴复合发光。实验还观测到在λ=786 nm处,λ=798 nm处和λ=824 nm处分别存在一发光峰,分析表明λ=786 nm处的发光峰为量子阱阱中费米能级附近的电子与轻空穴复合发光;λ=798 nm处的发光峰为量子阱内的基态电子到轻空穴的复合发光;λ=824 nm处的发光峰为阱中激子复合复合发光。理论计算与实验结果符合的很好。; 贺利军程兴奎张健李华; 关键词：GAAS/ALGAAS 超晶格光致发光

量子阱红外探测器能带结构的计算被引量：6: 2003年; 利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应,计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构,并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K P模型比较发现,本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下,用两种方法计算得到的AlGaAs/GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明,在较宽的范围内,本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。; 连洁王青圃程兴奎李静姜军; 关键词：量子阱红外探测器电子波 QWIP

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家自然科学基金(69976016)