国家教育部博士点基金(2007498351)
- 作品数：2 被引量：11H指数：2
- 相关作者：章勇范广涵熊伟平李琦黄俊毅更多>>
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- ZnO极性表面及其N原子吸附机理的第一性原理研究被引量：9
- 2010年
- 基于密度泛函理论的第一性原理赝势法计算了ZnO极性表面的几何结构和电子结构特性,对比分析了ZnO(0001)和ZnO(0001)表面结构弛豫、能带结构、电子态密度及N吸附ZnO极性表面的形成能情况.计算结果表明:相对于ZnO(0001)表面,ZnO(0001)表面受结构弛豫影响更加明显,而ZnO(0001)表面完整性更好.相对于体相ZnO结构,ZnO(0001)表面的能带带隙变窄,同时价带顶附近能级非局域性增强使晶体表面的导电性能变得更好;而ZnO(0001)表面的能带带隙变宽,由于O-2p态的存在,使价带顶附近出现了空能级,在热激发作用下,体内电子易向这些能级跃迁从而在表面形成电子聚集使表面带负电.同时还发现N原子吸附在ZnO(0001)表面面心位置的情况最稳定,而嵌入位在表面第一层处的形成能最低,因此N原子易集中于表面层中,而不是占据体内位置.
- 李琦范广涵熊伟平章勇
- 关键词：密度泛函理论第一性原理
- 退火温度对Ta掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：2
- 2010年
- 利用电子束蒸发技术在玻璃衬底上沉积了Ta掺杂ITO(ITO∶Ta)薄膜,对比研究了在不同退火温度下ITO∶Ta和ITO薄膜表面形貌、方阻、载流子浓度、霍尔迁移率和透光率的变化情况。结果表明,随着退火温度的上升,ITO∶Ta薄膜的晶化程度不断提高,并获得较低的表面粗糙度。在合适的退火温度下,ITO∶Ta薄膜的光电性能也有显著的改善。当在氮气氧气氛围下经过500℃退火时,ITO∶Ta薄膜得到最佳的综合性能,表面均方根粗糙度为2.17 nm,方阻为10～20Ω,在440 nm的透光率可达98.5%。
- 黄俊毅范广涵章勇
- 关键词：ITO薄膜掺杂电子束蒸发退火温度
