您的位置： 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(G2000068305)

作品数：12 被引量：41H指数：4
相关作者：郑有炓张荣修向前顾书林韩平更多>>
相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇光谱
  • 3篇发光
  • 3篇半导体
  • 3篇INN
  • 2篇导体
  • 2篇淀积
  • 2篇扫描电子显微...
  • 2篇退火
  • 2篇纳米线
  • 2篇晶格
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇光致发光谱
  • 2篇CVD
  • 2篇MOCVD
  • 2篇X
  • 1篇带隙
  • 1篇氮化
  • 1篇电子谱

机构

  • 9篇南京大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇江苏省光电信...

作者

  • 10篇张荣
  • 10篇郑有炓
  • 9篇韩平
  • 9篇修向前
  • 9篇顾书林
  • 8篇谢自力
  • 7篇施毅
  • 6篇朱顺明
  • 6篇毕朝霞
  • 6篇刘斌
  • 5篇江若琏
  • 3篇俞慧强
  • 3篇沈波
  • 2篇陈涌海
  • 2篇卢佃清
  • 2篇陈敦军
  • 2篇李志兵
  • 2篇秦臻
  • 2篇王荣华
  • 2篇赵红

传媒

  • 5篇Journa...
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇江苏工业学院...
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 2篇2006
  • 6篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
InN薄膜的退火特性被引量：3
2006年
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.
谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓
关键词：INN热退火扫描电子显微镜X射线光电子谱
Mn^+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性被引量：2
2003年
利用离子注入法将磁性离子 Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的 Ga N薄膜中 ,获得了稀磁半导体 (Ga,Mn) N.光致发光谱结果显示由于 Mn的注入 ,使 Ga N中常见的黄带发射被大大抑制 .在反射和吸收光谱中 ,观察到锰引入的新吸收带 ,分析表明该带是由电荷转移过程和锰引入能级 (价带顶上 310 m e V处 )的吸收组成的 .透射光谱显示 (Ga,Mn) N的光学带隙发生了红移 ,计算表明该红移量为 30± 5 m e V.震动样品磁强计的测量结果证实了 Mn掺杂的 Ga N样品在室温下具有铁磁性 .
李杰张荣修向前卢佃清俞慧强顾书林沈波郑有炓
关键词：稀磁半导体GAN薄膜光学性质光致发光谱
退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响被引量：6
2004年
利用溶胶鄄凝胶法在硅衬底上制备了纳米ZnO薄膜。研究了热处理对ZnO薄膜的质量与发光性能的影响。结果表明,纳米ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,并且,随着退火温度的升高,ZnO的晶粒变大,c轴取向性变好,紫外发光强度增强。
陈晓清谢自力张荣修向前顾书林韩平施毅郑有炓
关键词：纳米ZNO薄膜发光特性退火温度C轴取向发光强度锌矿
离子束外延技术与新材料研究
介绍了离子束外延（Ion-Beam Epitaxy,IBE）技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化...
杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
文献传递
在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN被引量：1
2005年
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。
谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓
关键词：INNMOCVD
MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征被引量：2
2005年
本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。
李亮张荣谢自力张禹修向前刘成祥毕朝霞陈琳刘斌俞慧强韩平顾书林施毅郑有炓
关键词：MOCVD缓冲层
AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2
2005年
本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。
秦臻韩平韩甜甜鄢波李志兵谢自力朱顺明符凯刘成祥王荣华李云菲S.XuN.Jiang顾书林张荣郑有炓
关键词：CVD光致发光
InN材料及其应用被引量：10
2004年
由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
谢自力张荣毕朝霞刘斌修向前顾书林江若琏韩平朱顺明沈波施毅郑有炓
关键词：INN带隙半导体材料晶格常数晶格匹配
额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响被引量：6
2003年
在氢化物气相外延 (HVPE)生长 Ga N过程中 ,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外 HCl来改善 Ga N外延薄膜质量的方法 ,并且讨论了额外 HCl和氮化对 Ga N形貌和质量的影响 .两种方法都可以大幅度地改善 Ga N的晶体质量和性质 ,但机理不同 .氮化是通过在衬底表面形成 Al N小岛 ,促进了衬底表面的成核和薄膜的融合 ;而添加额外
修向前张荣李杰卢佃清毕朝霞叶宇达俞慧强郑有炓
关键词：GAN氮化
应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
2005年
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错,具有所谓无支撑衬底的应变协调作用.
陈涌海杨少延王占国
关键词：晶格失配失配位错
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0