博士科研启动基金(20111011)
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
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- 熔盐电精炼硅制备多晶硅的NaF-KCl熔盐净化及净化作用
- 2012年
- 采用预电解净化方法,研究了温度、电压、时间等对NaF-KCl熔盐净化的影响,结果发现温度800℃,预电解电压2.5V,预电解时间4h为熔盐净化合适条件.采用四电极法测量了800℃,净化前后NaF-KCl混合熔盐的电导率,计算了活化能,结果发现熔盐净化后电导率提高.进行了恒电位电精炼法制备多晶硅,采用XRD,SEM,EDS和ICP-ms对熔盐净化前后获得的多晶硅进行了表征,发现熔盐净化使多晶硅产品纯度明显改善,纯度达到99.99%.
- 邹祥宇谢宏伟翟玉春郎晓川
- 关键词：电导率多晶硅
- 熔盐电解精炼制备太阳能级多晶硅被引量：3
- 2012年
- 采用熔盐电解精炼技术在物质的量比为1∶1的NaF-KF混合共晶熔盐中对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅.采用SEM和ICP-MS对熔盐电解精炼后产物硅进行表征.考察了熔盐电解精炼过程中电压、温度、时间对冶金硅中主要杂质去除率的影响.在2.0 V,1 073 K条件下,冶金硅阳极经电解精炼400min后,精炼产物形貌为线状,直径主要分布在50~150nm之间,长度达到几十微米.冶金硅中主要金属杂质的去除率在92%以上,B,P杂质的去除率分别为92.1%和97.6%,产物硅的纯度达到99.999%.
- 邹祥宇谢宏伟翟玉春戴永年
- 关键词：纯度
- 制备太阳能级多晶硅过程中湿法除杂研究被引量：2
- 2012年
- 在熔盐电解精炼基础上结合常温酸洗技术对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅。采用SEM对熔盐电解精炼前后冶金硅阳极表面和产物硅进行表征。考察了熔盐电解解精炼和酸洗过程中主要工艺参数:电精炼电压、电精炼温度、浸出剂种类、酸洗时间等对硅中杂质去除率的影响。当在2.0 V1、000 K条件下,电解精炼400 min再结合5%HNO3+5%HF混合酸酸洗8 h后产物硅中各杂质含量均小于1 ppm,产物硅的纯度达到99.999 9%以上。
- 邹祥宇谢宏伟翟玉春戴永年郎晓川
- 关键词：酸洗
