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江苏省科技厅基金(BK2009595)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇原位表征
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇TEM
  • 1篇CL
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇苏州纳维科技...

作者

  • 1篇王志高

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
TEM和CL准原位表征GaN单根纳米线中WZ/ZB结构及其发光特性
2012年
纤锌矿(WZ)/闪锌矿(ZB)结构以及WZ/ZB超结构广泛存在于一维Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中。本文采用TEM和CL(阴极荧光谱)准原位表征的方法,对GaN纳米线的各种结构进行了系统的表征,并且建立了材料纳米结构与对应发光性质之间的直接联系。研究发现相对于纯WZ结构的GaN单根纳米线,具有WZ/ZB结构纳米线的CL出现了蓝移。通过对CL发光谱的蓝移现象的分析和研究表明,蓝移是由于高密度的WZ/ZB结构单元及其各种超结构所引起的特殊效应。
王志高曾雄辉牛牧童邱永鑫蔡德敏王建峰徐科张锦平
关键词：透射电子显微镜GAN
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