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国家高技术研究发展计划(2004AA32G130)

作品数:2 被引量:23H指数:2
相关作者:邵鑫刘维民王齐华王廷梅罗豪甦更多>>
相关机构:中国科学院聊城大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:机械工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电场
  • 1篇电场强度
  • 1篇性能研究
  • 1篇压电
  • 1篇压电材料
  • 1篇亚胺
  • 1篇自发极化
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化钼
  • 1篇摩擦磨损性能
  • 1篇解理
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇二硫化钼
  • 1篇复合材料
  • 1篇插层
  • 1篇插层复合
  • 1篇插层复合材料

机构

  • 2篇聊城大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇邵鑫
  • 1篇王廷梅
  • 1篇余寒峰
  • 1篇徐志军
  • 1篇李国荣
  • 1篇王齐华
  • 1篇初瑞清
  • 1篇曾华荣
  • 1篇殷庆瑞
  • 1篇罗豪甦
  • 1篇刘维民

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇摩擦学学报(...

年份

  • 2篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
聚酰亚胺/二硫化钼插层复合材料的制备及其摩擦磨损性能研究被引量:21
2005年
用插层法制备了聚酰亚胺/二硫化钼插层复合材料(PI/MoS2),采用X射线衍射仪、红外光谱仪以及扫描电子显微镜等对材料的结构进行表征,采用四球长磨摩擦磨损试验机考察了聚酰亚胺/二硫化钼插层复合材料作为润滑脂添加剂的摩擦磨损行为.结果表明,所合成的PI/MoS2插层复合材料作为锂基脂添加剂对钢-钢摩擦副表现出良好的减摩抗磨作用.这主要是由于在摩擦过程中钢球表面形成了由FeSO4、MoO3及Fe的氧化物等组成的边界润滑及防护薄膜所致.
王廷梅邵鑫王齐华刘维民
关键词:聚酰亚胺二硫化钼插层复合材料摩擦磨损性能
钛酸钡单晶沿垂直解理面方向的超高压电响应的研究被引量:2
2005年
研究了钛酸钡单晶沿着解理面的压电响应 .首先发现在钛酸钡单晶中存在着解理面 ,当垂直这一解理面方向施加电场时 ,得到了超过 2 0 0 0pC N的超高压电常量d33.而这一d33值比沿着自发极化方向〈0 0 1〉方向施加电场得到的压电常量 (d33〈0 0 1〉=87pC N)高 2 0多倍 .而且 ,沿此方向在很低电场强度 (低于 1kV mm)下得到了高达 0 6 %的应变值 ,这一应变值是同等场强下PMN_PT单晶的 10倍之多 .这一结果无疑对发展无铅压电材料驱动器提供了一种新可能 .
初瑞清徐志军李国荣曾华荣余寒峰邵鑫罗豪甦殷庆瑞
关键词:解理电场强度钛酸钡压电材料自发极化超高压
共1页<1>
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