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国家自然科学基金(61136001)

作品数:9 被引量:24H指数:3
相关作者:闫征武红磊郑瑞生李萌萌郑伟更多>>
相关机构:深圳大学国立台湾大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划深圳市科技计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇ALN
  • 4篇共掺
  • 4篇共掺杂
  • 4篇掺杂
  • 3篇第一性原理
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇电子结构
  • 2篇升华
  • 2篇子结构
  • 2篇温度场
  • 2篇晶体
  • 2篇极化
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇P型
  • 2篇M

机构

  • 9篇深圳大学
  • 1篇国立台湾大学

作者

  • 8篇郑瑞生
  • 8篇武红磊
  • 7篇闫征
  • 4篇郑伟
  • 4篇李萌萌
  • 1篇李发帝
  • 1篇刘毅
  • 1篇彭冬生
  • 1篇陈志刚

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇深圳大学学报...
  • 1篇Photon...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
9 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Raman tensor of AlN bulk single crystal被引量:10
2015年
The angle dependence of optical phonon modes of an AlN bulk single crystal from the m-plane(1100) and c-plane(0001) surfaces, respectively, is investigated by polarized Raman spectroscopy in a backscattering configuration at room temperature. Corresponding Raman selection rules are derived according to measured scattering geometries to illustrate the angle dependence. The angle-dependent intensities of phonon modes are discussed and compared to theoretical scattering intensities, yielding the Raman tensor elements of A1(TO), E22, E1(TO), and A1(LO) phonon modes and the relative phase difference between the two complex elements of A1(TO). Furthermore, the Raman tensor of wurtzite AlN is compared with that of wurtzite ZnO reported in previous work, revealing the intrinsic differences of lattice vibration dynamics between AlN and ZnO.
Wei ZhengRuisheng ZhengFeng HuangHonglei WuFadi Li
关键词:MODEALN
Na:O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究
2015年
基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,分别研究了Al N在Na单掺杂和Na:O共掺杂情况下的晶格结构、电子态密度及能带结构。计算结果表明:Na单掺杂Al N和Na:O共掺杂Al N均为直接带隙半导体材料,且表现出p型掺杂特性;相比于本征Al N晶体,两者的晶格结构均膨胀,而Na:O共掺杂相对Na单掺杂Al N晶格膨胀较小;Na单掺杂Al N的价带顶态密度具有较强的局域化特性,不利于掺杂浓度的提高;与Na单掺杂Al N相反,Na:O共掺杂Al N的价带顶态密度局域化特性明显减弱,受主能级变浅,有利于Al N的p型掺杂。
徐百胜闫征武红磊郑瑞生
关键词:氮化铝第一性原理电子结构P型掺杂
Li-O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究被引量:1
2014年
采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了Li-O共掺杂纤锌矿AlN体系的晶格结构、电子态密度、能带结构和光学性质,较详细地分析了O对Li掺杂AlN晶体p型特性的影响。结果表明:Li-O共掺杂会导致AlN晶格收缩和禁带宽度减小;与Li单掺杂相比,O杂质的加入使得价带顶部的态密度峰值减小且局域化加强,降低了Li在AlN晶体中的受主特性。相较于未掺杂时的情况,Li-O共掺杂AlN的介电函数虚部谱只保留了位于7.5 eV处的主峰,谱线也变得更加平缓,而材料的吸收区范围未受到影响。Li-O共掺杂后的AlN材料依然能很好地工作在紫外光区域。
闫征郑瑞生武红磊
关键词:ALN第一性原理态密度光学性质
碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究
2013年
在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物V N-C N和C N-Si Al。
武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟
关键词:光致发光掺杂半导体材料ALN
碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析被引量:2
2013年
采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理。在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低;当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度。分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体。
闫征武红磊郑瑞生
关键词:ALN第一性原理共掺杂电子结构
温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响被引量:5
2012年
研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面;反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面为m面.同时,生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量.在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中,通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场,实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备,并对样品进行测试分析.
武红磊郑瑞生闫征李萌萌郑伟
关键词:半导体材料氮化铝温度场晶体生长
不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响
2015年
采用分子束外延(MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面Ga N薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07nm。利用光谱型椭偏仪研究m面Ga N薄膜,得到了m面Ga N薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,Ga N样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。
谭聪聪彭冬生陈志刚刘毅冯哲川
关键词:光学性能分子束外延表面形貌
Study of MgXZn1-XO Alloys (0<x<0.15) by x-ray Absorption Spectroscopy
High-resolution K-edge x-ray absorption data are presented for Mg,Zn and O of Mg1-xZnxO films.A detailed analy...
Wei ZhengZhe Chuan FengChang Fan-HsiuJyh-Fu LeeRui Sheng ZhengDong-Sing WuuChee Wee Liu
文献传递
升华法生长氮化铝晶体的热场分析被引量:2
2013年
本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小;原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低。通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场。
武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟徐百胜
关键词:升华温度场有限元
氮化铝单晶的偏振Raman光谱研究
氮化铝(AlN)可以实现波长短至210 nm的电致发光,能广泛地应用于数据存储、生物检测以及紫外杀菌等。近年来,不断提高的A1N单晶制备技术促进了A1N在以上应用中的迅速发展。本文利用激光共聚焦偏振Raman光谱研究了A...
郑伟武红磊李发帝郑瑞生
共2页<12>
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