“上海-应用材料研究与发展”基金(0506)
- 作品数:8 被引量:16H指数:3
- 相关作者:王文骐夏立诚胡嘉杰唐学锋封春海更多>>
- 相关机构:上海大学复旦大学华东理工大学更多>>
- 发文基金:“上海-应用材料研究与发展”基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
- Si基毫米波共面波导建模被引量:1
- 2008年
- 本文阐述了毫米波CMOS集成电路的关键技术之一,Si基共面波导(CPW)的机理和等效电路模型。通过电磁仿真(HFSS软件)提取CPW的S参数并计算相应的分布参数,建立了基于硅衬底的标准0.18μmCMOS工艺的毫米波CPW模型。实现了频率可达40GHz,特性阻抗分别为36、50和70Ω的CPW元件库。
- 黎庶胡嘉杰王文骐
- 关键词:共面波导毫米波CMOS
- 基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模
- 本文提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS设计实现积累型MOS变容管,并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型,通过M...
- 夏立诚王文骐胡嘉杰
- 关键词:毫米波CMOSMOS变容管
- 文献传递
- 毫米波MOS场效应晶体管的建模
- 2007年
- 提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法。对采用0.18μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计,并提出和分析了基于标准BSIM3V3模型卡的nMOS场效应管的等效电路模型。通过仿真,直接从MOS场效应管的物理版图中提取出各个寄生元件的值,使该模型能预测nMOS管从100 MHz到40 GHz频率范围内的高频性能。
- 祝远渊王文骐夏立诚
- 关键词:MOS场效应晶体管
- 一种安全可靠性高的全新IP核保护方法被引量:4
- 2007年
- 提出了一种基于3DES加(解)密双方认证系统的IP核保护方法,主要用于保护基于SRAMD工艺FPGA设计的IP核电路。在配置好的FPGA中,通过IP核外附加的内部保护电路和外部验证设备之间的互相通信认证,确认使用者的合法性,可有效防止IP核信息配置到FPGA过程中的非法盗取。详细介绍了这种新IP核保护方法的原理、结构和实现过程,并设计了一套基于此技术的简化双方认证系统。
- 范明俊李宁赵乐军叶凡
- 关键词:FPGA
- 新型Si基毫米波VGCPW建模
- 本文基于Si基0.18μm1P6M标准CMOS工艺对新型低损耗V型结构接地共面波导(VGCPW)进行了研究,通过HFSS仿真软件建立其物理模型,采用ADS软件的传输线模型卡及其目标优化控件建立了适合于毫米波段CMOS单片...
- 胡嘉杰夏立诚王文骐
- 关键词:低损耗
- 文献传递
- WLAN应用的CMOS低噪声放大器设计被引量:4
- 2007年
- 采用TSMC0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA)。阐述了LNA的噪声优化和设计过程。采用Agilent ADS仿真,结果显示:2.5V工作电压下,LNA增益为14.6dB,噪声系数为1.72dB,1dB压缩点为-10.2dBm,功耗16.5mW。
- 封春海唐学锋王文骐
- 关键词:低噪声放大器CMOS无线局域网
- 基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模被引量:3
- 2007年
- 提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS,设计实现了积累型MOS变容管;并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型;通过MINIMOS仿真,直接提取电路模型各寄生参数。该模型能方便地在电路设计软件中实现,并能预测最高达40 GHz频率范围内的变容管特性。
- 夏立诚王文骐胡嘉杰
- 关键词:毫米波CMOSMOS变容管
- 新型Si基毫米波VGCPW建模被引量:2
- 2008年
- 基于Si基0.18μm标准CMOS工艺研究新型低损耗V型结构接地共面波导(VGCPW),用HFSS软件建立物理模型,进行三维电磁仿真,研究内部电磁场分布.采用ADS软件的传输线模型卡及其目标优化控件,建立适合于毫米波段CMOS单片集成电路仿真和设计的新型低损耗VGCPW等效传输线模型.
- 胡嘉杰夏立诚王文骐
- 关键词:毫米波CMOS低损耗
- 毫米波CMOS集成电路的现状与趋势被引量:3
- 2007年
- 随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模,并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。
- 夏立诚王文骐祝远渊
- 关键词:毫米波集成电路无线通信互补金属氧化物半导体单片微波集成电路
- WLAN应用的CMOS低噪声放大器设计
- 2006年
- 采用TSMC 0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA).阐述了LNA的噪声优化和设计过程。采用Agilent ADS仿真,结果显示:2.5V工作电压下,LNA增益为14.6dB,噪声系数为1.72dB,1dB压缩点为-10.2dBm,功耗16.5mW。
- 封春海唐学锋王文骐
- 关键词:低噪声放大器CMOS无线局域网