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中国博士后科学基金(20060390483)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：陈欢韩征和史锴王志冯峰更多>>
相关机构：清华大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇离子束
  • 1篇离子束辅助
  • 1篇离子束辅助沉...
  • 1篇IBAD

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇冯峰
  • 1篇王志
  • 1篇史锴
  • 1篇韩征和
  • 1篇陈欢

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属基底上IBAD-YSZ缓冲层的生长机理
2008年
用离子束辅助沉积(IBAD)方法,变换辅助离子束的能量和束流密度,在Hastelloy基底上制备了钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜,作为涂层导体的缓冲层。XRD的结果显示:在一定的离子能量和束流密度的范围内,能够制备出高质量双轴织构的(001)取向的YSZ缓冲层,随着辅助离子束能量和束流密度的增大,IBAD-YSZ的面外取向和面内织构都出现先变好又变坏的现象。文中用辅助离子束对薄膜破坏程度的各向异性对结果做了解释。
王志史锴冯峰陈欢韩征和
关键词：离子束辅助沉积
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