国家自然科学基金(50806033)
- 作品数：9 被引量：42H指数：3
- 相关作者：张文超张琳叶家海周彬秦志春更多>>
- 相关机构：南京理工大学大唐南京环保科技有限责任公司更多>>
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- 相关领域：兵器科学与技术一般工业技术电子电信理学更多>>
- 半导体桥生成等离子体温度的测量被引量：3
- 2009年
- 应用原子发射光谱双谱线测温法原理,采用高速数字存贮示波器对半导体桥生成的等离子体温度以及桥上电压、电流变化进行了实时瞬态测量,获得了等离子体温度以及半导体桥上消耗的能量随时间变化的曲线,在半导体桥两端施加21V电压的条件下,对6.8、15、47、68、100μF五种不同容量的钽电容对半导体桥的作用时间、消耗能量以及生成等离子体温度的影响进行了研究,结果表明:半导体桥生成等离子体最高温度与电容呈线性关系,其最高温度由6.8μF时的2242K升高到100μF时的3324K。
- 张文超王文周彬秦志春张琳叶家海田桂蓉
- 关键词：应用化学火工品半导体桥等离子体温度测量
- 纳米铝热剂的研究进展被引量：15
- 2014年
- 介绍了物理混合、溶胶凝胶、物理气相沉积、自组装和反应抑制球磨法5种制备纳米铝热剂的方法及不同方法制得的纳米铝热剂的燃烧性能,分析了纳米铝热剂在制备、表征以及应用中存在的问题,提出了纳米铝热剂未来的研究重点,即纳米铝热剂的制备新方法研究、燃烧传播机理和有机含能材料与纳米铝热剂的复合等。附参考文献65篇。
- 王军张文超沈瑞琪叶家海王晓伟
- 关键词：纳米材料含能材料燃烧性能
- 复合半导体桥的电爆特性被引量：1
- 2015年
- 针对半导体桥小型化带来的点火可靠性问题,制备了复合半导体桥,采用高速存贮示波器对其在22μF电容不同充电电压下的电爆过程进行了研究,并与多晶硅半导体桥的电爆性能进行了对比。结果显示:在电爆过程爆发前,复合半导体桥和多晶硅半导体桥的电爆过程基本一致;爆发后特别是在高压时(50 V),与多晶硅半导体桥相比,复合半导体桥上电流下降缓慢,爆发所需时间稍偏长,作用于等离子体上的能量稍多;爆发后3μs内,复合半导体桥作用于等离子体上的能量增加较多,因此复合半导体桥点火可靠性更高。复合半导体桥上金属薄膜的存在是造成上述结果差异的原因。
- 徐兴张文超秦志春邓吉平王军徐振相周彬彭金华
- 关键词：军事化学与烟火技术电爆装置半导体桥
- 模板法制备多孔核/壳结构的Fe_2O_3/Al纳米铝热薄膜被引量：1
- 2015年
- 通过聚苯乙烯(PS)胶晶球模板法制备出三维有序大孔(3DOM)α-Fe2O3薄膜骨架,再利用磁控溅射将Al沉积到3DOMα-Fe2O3骨架上得到核/壳结构的Fe2O3/Al纳米铝热复合薄膜。扫描电镜(SEM)测试结果表明:纳米Al均匀地附着在α-Fe2O3骨架表面,骨架孔结构由原先的近圆形转变为Al沉积后的类菱形,孔壁的厚度从32 nm增加到100 nm;采用X射线能谱(EDS)对Fe2O3/Al纳米铝热薄膜的元素含量进行了分析;由差示扫描量热法(DSC)分析显示铝热薄膜在490℃开始反应,经历固–固和固–液两个反应阶段,总放热量达到1374.7 J/g;使用激光点火器对铝热薄膜进行点火,薄膜飞溅出火花并伴有明亮刺眼的亮光,整个发火时间达2.6 ms,显示其能被点火并发生自蔓延反应,可作为一种理想的点火材料。
- 郑国强张文超徐兴沈瑞琪邓吉平叶迎华
- 关键词：三维有序大孔
- 有机胺高氯酸盐共晶化合物的单晶制备与表征被引量：2
- 2009年
- 用核磁共振波谱和X射线单晶衍射法对乙二胺·三乙烯二胺高氯酸盐(ST)的结构进行了表征。结构分析表明,化合物ST的乙二胺和三乙烯二胺的比例为1∶1,晶体属单斜晶正交系,空间群:Cmc21,晶胞参数:a=0.8103(16)nm;b=2.4725(5)nm;c=1.0195(2)nm;V=2.0425(7)nm3;Z=8;密度计算值Dc=1.828g·cm-3,μ=0.67mm-1。乙二胺分子参与分子间氢键的形成,形成锯齿形的链状结构,高氯酸根和三乙烯二胺分子填充在锯齿结构的齿缝里,共同形成孔状的超分子结构。
- 张琳刘丽娟朱顺官张文超
- 关键词：共晶单晶超分子
- MEMS用含能薄膜研究现状及进展被引量：6
- 2012年
- 在综合分析国内外含能薄膜相关文献的基础上,认为金属复合含能薄膜桥、含能半导体桥及纳米多孔硅/氧化剂复合薄膜制作工艺与微机电系统(micro-electro-mechanical systems,MEMS)器件制备技术具有良好的兼容性,在此基础上阐述了上述三种薄膜材料的制备方法及输出特性,认为MEMS火工装置为火工技术的发展提供了一个重要的研究方向。
- 王述剑彭泓铮张文超马立远
- 关键词：含能材料火工品
- 半导体桥的研究进展与发展趋势被引量：15
- 2009年
- 文章系统地综述了半导体桥芯片的研究现状和半导体桥点火性能测试的研究进展,并对半导体桥的发展趋势以及应用前景进行了分析和展望,指出今后应当对反应式半导体桥和其它新型半导体桥的设计、制备及点火机理进行研究。
- 张文超张伟徐振相秦志春周彬叶家海田桂蓉
- 关键词：火工品半导体桥半导体技术
- 原子发射光谱法研究SCB放电特性被引量：1
- 2009年
- 半导体桥(SCB)通过桥膜放电进行含能材料的点火,具有低点火能量、高安全性以及能与数字逻辑电路组合等优点。文章利用原子发射光谱技术研究了其放电特性。首先用Cu原子谱线510.5和521.8nm进行温度测量,用Si原子谱线390.5nm和Si离子线413.0nm进行电子密度测量,同时获得SCB放电温度和电子密度随时间分布的测量结果。在放电电压为20V,充电电容为47μF条件下,1.0Ω的SCB放电温度分布在2500～4300K之间,电子密度约为1016cm-3左右。然后根据光谱诊断结果,结合等离子体成立的空间尺度和时间尺度条件,判断两种规格的SCB的放电行为是否产生等离子体。该研究结果为SCB桥体的设计以及点火方式的控制提供了理论依据,也为瞬态小尺寸等离子体的判断和诊断提供了一种参考方法。
- 张琳冯红艳朱顺官吴蓉张文超
- 关键词：原子发射光谱法
- 半导体桥等离子体的光学诊断被引量：1
- 2011年
- 为了克服半导体桥(SCB)等离子体尺寸小、存在时间短的局限性问题,用发射光谱法和增强型电荷耦合器件(ICCD)研究了SCB等离子体的特性。原子发射光谱表明SCB等离子体成分包括铝原子、铁原子、铜原子、铜离子、硅原子和硅离子。根据Stark展宽法,用AlⅠ394.40nm计算等离子体的电子密度为1016cm-3。等离子体尺寸约为500～2 000μm。在延时为1μs时刻,等离子体径向速度约为1 km/s,轴向约为0.7 km/s,在5μs时降到最小。研究结果为优化桥体设计和改善装药条件等研究提供了依据。该方法提供了一种瞬态小尺寸等离子体的诊断途径。
- 张琳冯红艳朱顺官张文超
