中国科学院知识创新工程(O82111A17S)
- 作品数：11 被引量：43H指数：5
- 相关作者：韩建伟封国强上官士鹏马英起陈睿更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院中国科学院大学更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 光电耦合器4N49单粒子瞬态脉冲效应的试验研究被引量：3
- 2010年
- 通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲(SET)效应进行了试验研究。在10V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输(LET)值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为10MeV.cm2.mg-1,而饱和截面数值则高达1.2×10-3cm2。试验验证了4N49的SET效应对后续数字电路的影响状况,定量研究了SET效应减缓电路的有效性,通过设计合理的电路参数可将器件在5V工作电压下的SET效应阈值由7.89MeV.cm2.mg-1提高至22.19MeV.cm2.mg-1。4N49的SET效应试验研究为光电耦合器SET效应的测试及防护措施的有效性验证提供了新的试验方法。
- 马英起封国强安广朋张振龙黄建国韩建伟
- 关键词：脉冲激光光电耦合器单粒子瞬态脉冲
- SRAM型FPGA单粒子翻转效应加固方法被引量：5
- 2014年
- 应用重离子加速器和皮秒脉冲激光器开展Virtex-ⅡFPGA(Field Programmable Gate Array)单粒子效应加固方法有效性研究.实验结果表明,同时应用三模冗余和动态刷新加固方法能够完全纠正单粒子效应产生的功能错误.实验获得数据加密算法在不同单粒子效应加固方法下功能错误截面,发现少量的存储位翻转就可以导致程序功能错误;程序功能对存储位翻转较敏感.分析Virtex-ⅡFPGA不同加固方法在不同卫星轨道的有效性,同时应用动态刷新和三模冗余加固方法,可以完全校正由于存储位翻转造成的功能错误.重离子加速器和脉冲激光器实验结果同时表明,脉冲激光可以模拟重离子加速器研究单粒子效应加固方法有效性.
- 姜昱光韩建伟朱翔蔡明辉
- 关键词：三模冗余动态刷新脉冲激光重离子现场可编程门阵列
- 光电耦合器的单粒子瞬态脉冲效应研究被引量：6
- 2008年
- 利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与等效LET的关系,并甄别出器件SET效应的敏感位置,初步分析了SET效应产生的机理。利用脉冲激光测试了光电耦合器的SET宽度与等效LET的关系,并尝试测试了两种光电耦合器的SET效应的截面,其中,HCPL-5231的实验结果与其他文献利用重离子加速器得到的数据符合较好,验证了脉冲激光测试器件单粒子效应的有效性。
- 封国强马英起张振龙韩建伟
- 关键词：脉冲激光单粒子瞬态脉冲光电耦合器
- 不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法被引量：6
- 2014年
- 基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。
- 陈睿余永涛董刚上官士鹏封国强韩建伟马英起朱翔
- 关键词：重离子辐照
- CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证被引量：3
- 2014年
- 利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓CMOS器件电路级闩锁效应。
- 陈睿冯颖余永涛上官士鹏封国强朱翔马英起韩建伟
- 关键词：CMOS器件脉冲激光
- 光电耦合器的单粒子瞬态脉冲效应研究
- 利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与等效LET的关系,并甄别出器件SET效应的敏感位置,初步分析了...
- 封国强马英起张振龙韩建伟
- 关键词：脉冲激光单粒子瞬态脉冲光电耦合器
- 文献传递
- 脉冲激光试验在宇航器件和电路系统抗单粒子效应设计中的初步应用被引量：10
- 2011年
- 抗单粒子效应加固是宇航器件研发和卫星电路系统设计面临的重要难题。准确、有效的单粒子效应试验评估对此问题的解决有巨大帮助。中国科学院空间科学与应用研究中心于近十年在国内自主发展了用于单粒子效应评估的脉冲激光试验相关装置、试验技术和方法,对宇航器件和卫星电路开展了初步应用。通过脉冲激光试验,能够快速甄别、定位宇航器件试样的单粒子效应薄弱点,以及快速地摸底评估出芯片的整体加固性能。对于卫星电路系统,脉冲激光试验不仅能够快速摸底评估拟用器件的抗单粒子效应性能,而且能够针对芯片空间分布和电路时序变化进行扫描和定点测试,验证加固效果。
- 韩建伟封国强蔡明辉马英起上官士鹏陈睿张玉靖
- 关键词：单粒子效应脉冲激光
- 基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究被引量：2
- 2013年
- 脉冲激光可有效模拟重离子触发芯片的单粒子效应。本工作在应用背部激光试验方法辐照芯片时观察到了二次光斑现象,通过Si衬底和Si晶圆片研究了芯片单粒子效应实验中二次光斑的成因。实验结果表明,二次光斑主要是由于激光在芯片有源区附近的金属布线层反射形成的。通过测量芯片的Si衬底厚度以及激光触发芯片单粒子效应时的聚焦深度,实验验证了二次光斑是在金属布线层区域形成的。
- 姜昱光封国强朱翔马英起上官士鹏余永涛韩建伟
- 关键词：脉冲激光硅衬底单粒子效应
- FPGA单粒子效应的脉冲激光试验方法研究
- 通过测试基于静态随机存储器(SRAM)的现场可编程门阵列(FPGA)芯片的单粒子效应,研究脉冲激光的试验方法,评估脉冲激光试验单粒子效应的有效性。研究表明,激光光斑聚焦深度和激光注量是影响脉冲激光单粒子效应试验的重要因素...
- 姜昱光封国强朱翔上官士鹏马英起韩建伟
- 关键词：脉冲激光单粒子效应FPGA
- 文献传递
- SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究
- 本工作利用脉冲激光单粒子效应模拟试验装置对三星公司的SRAM K6R4016V1D进行了单粒子闩锁效应试验研究。试验测得了此器件的单粒子闩锁效应脉冲激光能量阈值、闩锁截面曲线和闩锁电流。针对这款器件,还对工程中防护闩锁过...
- 余永涛封国强陈睿上官士鹏韩建伟
- 关键词：脉冲激光限流电阻
- 文献传递
