天津市自然科学基金(043801211)
- 作品数：12 被引量：37H指数：4
- 相关作者：刘玉岭张建新袁育杰牛新环王娟更多>>
- 相关机构：河北工业大学天津理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 微电子工艺中硅衬底的清洗技术被引量：7
- 2006年
- 通过研究硅片表面颗粒的吸附原理,提出了优先吸附模型,并提出改进SC-1的配方,不仅能去除颗粒,而且能有效去除有机物。介绍一些操作方法更加简单、去除更加彻底以及更加环保的清洗新技术。通过分析微电子技术的发展要求,指出今后硅片清洗工艺的发展趋势。
- 张远祥刘玉岭袁育杰
- 关键词：硅片表面活性剂臭氧
- ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究被引量：1
- 2006年
- 针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。
- 尹睿刘玉岭李薇薇张建新
- 关键词：化学机械抛光低K介质抛光液
- 温度对GaN生长用蓝宝石衬底化学机械抛光去除速率的影响(英文)
- 化学机械抛光技术可用于生产高质量的加工表面。在蓝宝石衬底CMP过程中高的抛光速率及好的表面质量是最终的目标。在抛光液及抛光参数不变的条件下对(0001)蓝宝石村底的去除速率与抛光温度之间的关系进行了研究。采用抛光碱性介质...
- 牛新环宗思邈檀柏梅刘玉岭
- 关键词：蓝宝石衬底抛光液去除速率
- 文献传递
- CMP专用硅溶胶研磨料粒径可控增长技术的研究被引量：3
- 2007年
- 以LaMer模型为理论依据，对恒液面聚合生长法制备硅溶胶的母液制备和粒径增长阶段进行了工艺研究。通过适当加料速率下的母液制备可产生适当数量的晶核，并制得一系列小粒径规格的低分散度硅溶胶。在粒径增长阶段，通过选择与底料中粒径状况相匹配的加料速率，使胶粒均匀长大而制得一系列中等粒径和大粒径规格的硅溶胶。该技术实现了硅溶胶粒径的可控增长。
- 张建新刘玉岭张楷亮檀柏梅
- 关键词：超大规模集成电路化学机械抛光硅溶胶粒径
- CMP专用大粒径硅溶胶研磨料生长及控制机理被引量：4
- 2008年
- 为满足甚大规模集成电路(ULSI)互连结构高质量、高效率化学机械抛光(CMP)的要求,以LaMer模型为理论指导,对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析,并讨论了加料速率对平均粒径及分散度的影响;优化加料速率为3.6 mL/min,以此控制体系中硅酸浓度的变化趋势,避免产生两种类型的新晶核,实现了单纯的粒径增长.以胶粒平均粒径28 nm、分散度1.13的母液制备出粒径57 nm、分散度1.07的硅溶胶.通过工艺调整并按照分级生长模式,进一步制得符合高质量、高效率CMP专用的大粒径(平均粒径为112 nm)、低分散度(接近于1.00)硅溶胶研磨料.
- 张建新刘玉岭张楷亮檀柏梅牛新环王娟
- 关键词：硅溶胶大粒径甚大规模集成电路化学机械抛光
- 温度对ULSI硅衬底化学机械抛光去除速率及动力学的控制
- 2007年
- 对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入研究.根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程,在ULSI衬底单晶硅片的CMP研究过程中,确定了在相同机械作用条件下由温度引起的化学过程为CMP控制过程,对影响化学反应的关键因素进行了有效的优化,实现了多材料CMP速率的突破性提高.
- 刘玉岭牛新环檀柏梅王胜利
- 关键词：化学机械抛光动力学过程控制过程硅衬底去除速率
- 蓝宝石CMP工艺中粗糙度的控制技术(英文)
- 蓝宝石是第三代半导体材料GaN的主要衬底材料,其表面质量直接影响器件的性能。对蓝宝石衬底片进行CMP研究,系统分析了影响CMP效果的多种因素,讨论了CMP机理模型,采用自制的小粒径(20～30nm)、低分散度的SiO水溶...
- 刘玉岭檀柏梅牛新环赵海涛
- 关键词：化学机械抛光蓝宝石粗糙度
- 文献传递
- 计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究被引量：6
- 2006年
- 随着计算机硬盘容量的增大、转速的提高、磁头与盘片间距离的降低,对硬盘基板材料选择及改善基板表面平整度提出了更高的要求。综述了硬盘基板材料的发展状况,指出了基板化学机械抛光(CMP)中亟待解决的问题和解决的途径,分析研究了影响硬盘基板CMP技术的因素及如何控制基板抛光后的表面质量。
- 刘长宇刘玉岭王娟牛新环
- 关键词：硬盘化学机械抛光平整度
- ULSI铜布线阻挡层Ta CMP及抛光液的研究被引量：4
- 2007年
- ULSI多层铜互连线中,由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异,使得在CMP过程中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷极易发生。研究分析了H2O2、有机碱对Cu和Ta抛光速率的影响,并进行了不同抛光液配比的试验。实验证明,在温度为30℃、压力0.08 MPa,转速60 r/min、抛光液流量为160 mL/min、抛光液成份为V(H2O2)∶V(有机碱)∶V(活性剂)∶V(螯合剂)=5∶15∶15∶25时,抛光速率一致性较好,能够有效降低碟形坑的出现几率;Cu、Ta的抛光速率均为500 nm/min左右,实现了CMP的全局平坦化。
- 武亚红刘玉岭马振国王立发陈景
- 关键词：铜互连线阻挡层抛光液
- 降低CMP用SiO_2溶胶中金属离子含量及其机理探析
- 2005年
- 探析了阳、阴离子树脂对SiO2溶胶中金属离子交换去除的机理,确定阳-阴-阳三步法对SiO2溶胶进行金属离子去除,而后由有机碱调节pH值至碱性稳定区,从而制得高纯度、高稳定性微电子CMP用SiO2溶胶产品。
- 张建新刘玉岭王娟张元
- 关键词：化学机械抛光SIO2溶胶离子交换
