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广西壮族自治区科学研究与技术开发计划(0480004)

作品数:3 被引量:10H指数:2
相关作者:黄宇阳孙顺平邓文祝莹莹温新竹更多>>
相关机构:广西大学河南理工大学中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划广西大学科学技术研究重点基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺核科学技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇正电子
  • 2篇正电子湮没
  • 2篇合金
  • 2篇TIAL合金
  • 1篇低本底
  • 1篇电子相互作用
  • 1篇正电子湮没技...
  • 1篇相互作用
  • 1篇基合金
  • 1篇本底
  • 1篇NB
  • 1篇TIAL基
  • 1篇TIAL基合...
  • 1篇CR
  • 1篇CU
  • 1篇V

机构

  • 3篇广西大学
  • 2篇河南理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇邓文
  • 3篇孙顺平
  • 3篇黄宇阳
  • 2篇祝莹莹
  • 1篇曹名洲
  • 1篇熊超
  • 1篇陈真英
  • 1篇温新竹
  • 1篇熊良钺
  • 1篇江海峰
  • 1篇江海峰

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇中国科学(G...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究被引量:1
2008年
通过测量过渡金属元素(Ti,V,Cu)以及TiAl基合金(Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2)的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息.结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强.二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48V2合金.
邓文陈真英江海峰孙顺平祝莹莹黄宇阳
关键词:TIAL合金正电子湮没
用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响被引量:2
2009年
测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50Al48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息。结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大。在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加。Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金。讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响。
祝莹莹邓文孙顺平江海峰黄宇阳曹名洲熊良钺
关键词:TIAL合金正电子湮没技术
低本底符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置的研制被引量:7
2008年
根据正电子湮没的特点,研制了双高纯锗探头-多参数分析器符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置,通过采用符合技术,大幅度地降低了正电子湮没辐射多普勒展宽谱的本底,谱线的峰高与本底之比高于10^5。该装置可用于研究原子的电子动量分布。
邓文黄宇阳熊超孙顺平温新竹
关键词:本底
共1页<1>
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