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国家自然科学基金(11004020)

作品数：4 被引量：3H指数：1
相关作者：梁红伟宋世巍杜国同柳阳申人升更多>>
相关机构：大连理工大学中国科学院吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇英文
  • 2篇LED
  • 1篇应力
  • 1篇应力弛豫
  • 1篇应力和
  • 1篇气相沉积
  • 1篇绿光
  • 1篇绿光LED
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇发光
  • 1篇SIN
  • 1篇SNO
  • 1篇SNO2薄膜
  • 1篇GAN
  • 1篇残余应力
  • 1篇衬底
  • 1篇弛豫
  • 1篇P-

机构

  • 4篇大连理工大学
  • 3篇吉林大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇辽宁师范大学
  • 1篇浙江水晶光电...

作者

  • 4篇梁红伟
  • 3篇柳阳
  • 3篇杜国同
  • 3篇宋世巍
  • 2篇张克雄
  • 2篇夏晓川
  • 2篇申人升
  • 2篇杨德超
  • 1篇刘佳媛
  • 1篇夏小川
  • 1篇邱宇
  • 1篇刘洋
  • 1篇冯秋菊

传媒

  • 3篇发光学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
不同Sb含量p-SnO_2薄膜的制备和特性
2015年
采用化学气相沉积方法,利用Sb_2O_3/Sn O作为源材料,在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO_2薄膜,并在此基础上制作出p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件.研究表明,随着Sb含量的增加,样品表面变得平滑,晶粒尺寸逐渐增大,且晶体质量有所改善,发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用.Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO_2呈现p型导电特性,当Sb_2O_3/SnO的质量比为1:5时,其电学参数为最佳值.此外,p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件展现出良好的整流特性,其正向开启电压为3.4 V.
冯秋菊刘洋潘德柱杨毓琪刘佳媛梅艺赢梁红伟
关键词：化学气相沉积SNO2薄膜
衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响
2013年
利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能。随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移。
杨德超梁红伟邱宇宋世巍申人升柳阳夏晓川俞振南杜国同
关键词：GANLED残余应力
SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文)被引量：3
2013年
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力。同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高。最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数。
宋世巍梁红伟申人升柳阳张克雄夏晓川杜国同
关键词：SIN应力弛豫
低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)
2013年
利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能。
宋世巍柳阳梁红伟夏小川张克雄杨德超杜国同
关键词：LED
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