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Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响被引量：1: 2013年; 本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用。; 姜涛严成锋陈建军刘熙杨建华施尔畏; 关键词：6H-SIC 退火 AFM

用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：9: 2013年; SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响。结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N。最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备。; 高攀刘熙严成锋忻隽陈建军孔海宽郑燕青施尔畏; 关键词：SIC晶体粒径堆积密度

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国家高技术研究发展计划(2013AA031603)