国家科技重大专项(2009ZX01034-002-002-001)
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 相关作者：阮颖赖宗声陈磊田亮周进更多>>
- 相关机构：华东师范大学上海电力学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项上海-AM基金上海市科委国际合作基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种用于流水线ADC的可调节多相时钟产生电路被引量：1
- 2010年
- 设计了一种应用于10位80 MS/s流水线A/D转换器的可调节多相时钟产生电路。该电路采用一种电流镜结构,通过调节可变电阻的阻值来实现对单位延迟时间的精确控制。芯片采用IBM 0.13μm CMOS工艺实现,电源电压为2.5 V。在各种条件下仿真所得的最大延迟时间偏差为4%,时钟电路功耗为0.68 mW。仿真结果表明,该时钟产生电路适用于高速流水线A/D转换器。
- 马聪蒋颖丹田应洪许帅石艳玲赖宗声
- 关键词：A/D转换器时钟电路CMOS
- UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计被引量：1
- 2013年
- 设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.
- 阮颖张书霖
- 关键词：SIGEBICMOS工艺超高频阅读器
- 一种2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器被引量：5
- 2011年
- 针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极偏置的DC通路中采用电阻负反馈实现温度稳定功能,有效避免热崩溃的同时不引起射频损耗。采用了GRACE 0.18μm SiGe BiCMOS工艺流片,芯片面积为1.56 mm2,实现了包括所有偏置电路和匹配电路的片上全集成。测试结果表明,在2.4-2.5 GHz工作频段,PA的小信号增益S 21达23 dB,输入回波损耗S 11小于-15 dB。PA的1 dB输出压缩点的线性输出功率为19.6 dBm,功率附加效率为20%,功率增益为22 dB。
- 阮颖刘炎华陈磊赖宗声
- 关键词：SIGEBICMOS功率放大器全集成自适应偏置
- 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器被引量：7
- 2010年
- 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。
- 阮颖陈磊田亮周进赖宗声
- 关键词：射频功率放大器SIGEBICMOS
