国家自然科学基金(60876006)
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
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- 磁控溅射技术制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其微结构
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术溅射CuS、ZnS、SnS2混合靶材,在玻璃衬底上沉积前驱体,然后硫化退火制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,通过EDS能量色谱仪、X射线衍射仪对薄膜进行表征分析。结果表明,退火温度高于450℃制备的样品出现了3个明显峰位28.52°,47.48°和56.20°,分别对应Cu2ZnSnS4(112)、(220)和(312)晶面,而且随着退火温度的升高样品在(112)方向择优取向生长。根据谢乐公式计算晶粒尺寸表明,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,薄膜质量改善。EDS分析显示,薄膜组分为贫Cu富Zn,制备的薄膜较为纯净。
- 高学飞邓金祥孔乐崔敏陈亮
- 关键词：射频磁控溅射硫化微结构
- 后退火对射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜性质的影响被引量：4
- 2019年
- 本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的(004)、(202)和(120)峰从无到有,(401)、(601)和(122)峰由强变弱,表明退火改变了Mg掺杂Ga2O3薄膜的结构。AFM结果表明,退火后的薄膜表面均方根粗糙度由1.3637nm增大到17.1133nm。EDS结果表明,退火处理后的Mg元素重量百分比有所提高。紫外可见透射光谱研究表明,退火前薄膜在200-1500nm波长范围内的平均光透过率较低,大约为80%,退火后平均光透过率明显提高到90%以上,此外薄膜光学吸收边蓝移,带隙宽度变大,表明退火有助于改善薄膜结构,增强光透性。光致发光谱实验结果表明,相比较退火处理后的薄膜,退火前的光致发光峰几乎可以忽略不计,这说明退火可显著改变Mg掺杂Ga2O3薄膜的光致发光特性。
- 李如永段苹崔敏王吉有原安娟邓金祥
- 关键词：光致发光谱
- 立方氮化硼薄膜的掺杂及金属半导体接触研究
- 立方氮化硼(c-BN)是人工合成的Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物半导体材料,它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如:c-BN的禁带宽度很大(6～6.4eV),可实现n型和p型掺杂(而金刚石的...
- 邓金祥满超崔敏康成龙赵卫平
- 文献传递
- Rubrene∶MoO3混合薄膜的制备及光学和电学性质
- 2019年
- 利用热蒸发技术在衬底温度为室温的硅衬底、氧化铟锡衬底和石英衬底上制备了红荧烯与氧化钼的混合薄膜.将两种材料放置于不同的坩埚中,通过控制蒸发源的温度来控制混合比例,制备了不同比例的混合薄膜.通过原子力显微镜对混合薄膜的表面形貌进行了测量,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,薄膜表面的平整度最好;通过X射线衍射分析对混合薄膜的结晶性进行分析,发现不同浓度的混合薄膜均表现出非晶态特征.通过PL谱和吸收光谱研究了不同比例的混合薄膜的光学性质,从光致发光谱可以发现:混合薄膜在近红外区域有显著吸收,说明红荧烯在氧化钼诱导下产生中间能级,形成电荷转移络合物.从吸收谱知:除4:1外,其他比例的混合薄膜具有几乎相同的吸收峰.根据Tauc方程计算了混合薄膜的光学带隙,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,混合薄膜的带隙最窄(-2.23 eV).制备了结构为Al/rubrene:MoO3/ITO的器件,测试了J-V特性,研究了混合薄膜的电学性质.发现当混合比例为4:1和2:1时,混合薄膜与金属电极的接触表现为欧姆接触.本研究显示出红荧烯和氧化钼的混合薄膜在近红外区域有潜在的应用前景,也为红荧烯和氧化钼的混合薄膜在有机光电器件的应用提供了基础.
- 李瑞东邓金祥张浩徐智洋潘志伟孙俊杰王贵生
- 关键词：原子力显微镜X射线衍射分析
- 沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响被引量：1
- 2015年
- 在沉积时间分别为1 h、1.5 h、2 h及2.5 h的条件下,分别用磁控溅射法制备了Zn S薄膜,用XRD、SEM、台阶仪、椭偏仪等实验仪器进行物性检测,最终发现,沉积时间越长的薄膜,晶粒越小,密度越大,折射率越大;消光系数受晶粒大小、晶界多少、孔隙率等多种因素影响,呈现复杂变化。
- 苗一鸣邓金祥段苹陈仁刚杨倩倩高红丽
- 关键词：磁控溅射法宽禁带半导体
- 垂直型MoS2/C60范德华异质结的研究
- 2019年
- 研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60范德华异质结,并制备了Au/MoS2/C60/Al结构的器件。对MoS2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS2,C60及MoS2/C60薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。结果表明:经过750℃退火后的MoS2晶型为2H型;由于在MoS2和C60薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO2衬底上,沉积在MoS2上的C60薄膜喇曼特征峰发生红移;MoS2/C60薄膜在可见光范围内具有明显的光吸收特性;异质结表现出良好的整流特性,通过电子导电模型分析得出电子的传输机制包含热电子发射,空间电荷限制电流传导(SCLC)和隧穿现象。
- 潘志伟邓金祥张浩白志英李瑞东王贵生段苹王吉有
- 关键词：MOS2C60异质结
- 射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振光谱研究被引量：1
- 2014年
- 在不同的衬底温度下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了氮化锌薄膜样品.用X射线衍射仪、原子力显微镜和椭偏仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质进行了表征分析.薄膜的晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,在200?C时薄膜的结晶性最好.用椭偏仪测试样品,建立物理模型计算出氮化锌薄膜在430—850 nm范围内的折射率和消光系数等光学参数.利用Tauc公式计算出氮化锌薄膜的光学带隙在1.73—1.79 eV之间.
- 陈仁刚邓金祥陈亮孔乐崔敏高学飞庞天奇苗一鸣
- 关键词：X射线衍射椭偏光谱光学参数
- 电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究
- 立方氮化硼薄膜是一种理想的新型宽带隙(Eg≈6.6eV)半导体薄膜材料。立方氮化硼具有高的电阻率和高的热稳定性,可被掺杂成p型和n型,不仅可能用于制作高频、大功率、高温电子器件,而且还可能用于制作场致电子发射器件(如:图...
- 邓金祥郭清秀赵卫平杨冰杨萍
