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AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征: 设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN HEM结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlN插入层的生长时间对材料表...; 肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵; 关键词：HEMT 氮化铝电学性能二维电子气; 文献传递

AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器被引量：6: 2008年; 通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.; 王新华王晓亮冯春冉军学肖红领杨翠柏王保柱王军喜; 关键词：GAN 气体传感器肖特基二极管

过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较: 实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分...; 姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵; 关键词：稀磁半导体氮化镓离子注入快速退火; 文献传递

SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件: 使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50 mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEM)材料。50 mmHEM外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此...; 王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率器件; 文献传递

AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究被引量：2: 2008年; 研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的CO的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通入1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能.; 冯春王晓亮王新华肖红领王翠梅胡国新冉军学王军喜; 关键词：ALGAN/GAN CO 传感器

射频分子束外延生长AlInGaN四元合金被引量：2: 2009年; 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测.通过扫描电镜(SEM)、卢瑟福背散射(RBS)、X射线衍射(XRD)和阴极荧光(CL)等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性.研究结果表明:在GaN层上生长AlInGaN外延层时,外延膜呈二维生长;当铝炉的温度为920℃时,外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7,X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin,四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm,AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.; 王保柱王晓亮; 关键词：分子束外延结构特性光学特性

MOCVD生长Al_(0.48)Ga_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性被引量：4: 2009年; 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0.48Ga0.52N/Al0.54Ga0.36N多量子阱(MQWs)结构。通过双晶X射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和阴极荧光(CL)等测试技术,分别对样品的结构和光学特性进行了表征。在DCXRD图谱中,可以观察到明显的MQWs衍射卫星峰,通过拟和,MQWs结构中阱和垒的厚度分别为2.1和9.4nm,Al组分分别为0.48和0.54。在AFM表面形貌图上,可以观察到清晰的台阶流,表明MQWs获得了二维生长;与此同时,MQWs结构存在一些裂缝,主要原因为AlGaNMQWs结构和下层GaN层间存在很大的应力。CL测试表明,AlGaNMQWs结构的发光波长为295nm,处于深紫外波段,同时观察到处于蓝光、绿光波段的缺陷发光。; 王保柱安胜彪文环明武瑞红王晓君王晓亮

T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展: 四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性...; 马泽宇王晓亮; 关键词：氧化锌晶须吸波特性; 文献传递

AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能被引量：1: 2007年; 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.; 王新华王晓亮肖红领王翠梅冉军学罗卫军王保柱冯春杨翠柏马志勇胡国新曾一平李晋闽; 关键词：肖特基二极管势垒高度

MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化: 对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现...; 殷海波王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽侯洵; 关键词：GAN MOCVD 数值模拟流场沉积速率; 文献传递

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