湖北省自然科学基金(2005ABA011)
- 作品数：11 被引量：30H指数：4
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- 相关领域：化学工程建筑科学一般工业技术更多>>
- 热处理时间对阳极键合用微晶玻璃性能的影响被引量：4
- 2007年
- 实验采用Li2O-ZnO-SiO2(LZS)系统微晶玻璃代替传统的耐热玻璃,在前期工作的基础上对该微晶玻璃的热处理时间进行了系统研究,通过相关的测试手段,分析讨论了热处理时间对主晶相、晶粒尺寸大小、析晶程度及其相关性能的影响。实验结果表明:样品的主晶相为Li2SiO3,热处理时间控制在4—9 h,能获得较好的性能,最佳热处理时间为9 h,即核化时间4.5 h,晶化时间4.5 h。样品的热膨胀系数随热处理时间的增加而增大,最大可达131.6×10-7/℃。样品具有良好的抗酸碱腐蚀性能,其最大抗折强度为95.91 MPa。
- 李宏曹欣程金树
- 关键词：微晶玻璃阳极键合晶化时间
- 阳极键合用微晶玻璃的热处理温度研究被引量：1
- 2007年
- 阳极键合技术在几十年来得到了很大的发展。随着其使用范围的扩大和对键合强度要求的提高，对基片材料提出了新的要求。微晶玻璃是一种性能优异的材料，如果能与不锈钢进行键合，将在微机电系统得到广泛的应用。论文在前期工作的基础上分别对微晶玻璃的核化和晶化温度进行了系统研究，通过XRD，SEM及相关的测试手段，分析讨论了热处理温度对主晶相、晶粒尺寸大小、析晶程度及其相关性能的影响。实验结果表明，样品的主晶相为Li2SiO3，合适的核化温度范围为450～630℃，晶化温度范围为670～760℃，样品的最大抗折强度为95．38MPa。
- 李宏曹欣程金树
- 关键词：微晶玻璃阳极键合核化温度晶化温度
- 阳极键合用Li_2O-Al_2O_3-SiO_2微晶玻璃电学性能被引量：3
- 2009年
- 采用合适的组分和二步热处理法制备了热膨胀系数与硅片匹配的Li2O-Al2O3-SiO2(LAS)微晶玻璃,并在满足键合所要求的热膨胀系数的基础上,通过调节成分和控制热处理制度,研究了微晶玻璃的导电和介电性能。结果表明:采用不同的热处理制度进行晶化处理,LAS微晶玻璃的主晶相均为β-锂辉石;607℃核化、980℃晶化时间均为3h样品的热膨胀系数为31.16×10-7℃-1(200～400℃),与硅片热膨胀系数较接近;微晶玻璃的电阻率大于基础玻璃,且随温度的升高电阻率呈下降趋势;改变核化和晶化时间,在150～360℃范围内其电阻率变化不大;微晶玻璃的介电常数和介电损耗均小于基础玻璃,更适宜作为电子器件的绝缘封装材料。
- 李宏章钊王倩杜芸程金树
- 关键词：阳极键合硅片微晶玻璃电学性能
- R_2O-Al_2O_3-SiO_2系微晶玻璃析晶动力学研究被引量：3
- 2009年
- 通过对R2O-Al2O3-SiO2(R2O为Li2O,Na2O和K2O)系微晶玻璃DTA、XRD、SEM等测试分析,系统地对其析晶行为和析晶动力学进行了研究。该组分基础玻璃DTA曲线上有2个析晶放热峰,选取相应的热处理制度,可获得主晶相为Li2Si2O5和Li2SiO3的微晶玻璃。采用经典的计算方法对其析晶活化能(Ea)、析晶晶化指数(n)进行计算,结果表明:Li2Si2O5晶体和Li2SiO3晶体的析晶晶化指数n分别为1.70和0.87,均为表面析晶;由Kissinger方程计算出对应的析晶活化能为Ea1=151.4 kJ/mol、Ea2=623.1 kJ/mol。
- 熊德华程金树
- 关键词：DTA微晶玻璃析晶动力学
- 阳极键合后基片呈现黑斑原因及影响因素
- 2009年
- 半导体硅与玻璃的阳极键合技术是微机电系统(Micro Electronic Mechanical System简称MEMS)的关键封装技术,微晶玻璃相比传统的阳极键合用玻璃,具有键合温度低、键合强度高、键合质量好等优点。实验采用二步热处理法,制备了热膨胀系数与硅片匹配的Li2O-Al2O3-SiO2(LAS)系统微晶玻璃,在不同的键合工艺制度下,进行了微晶玻璃/硅片阳极键合实验;深入研究了键合后微晶玻璃基片接阴极面均产生黑斑的原因,并分析探讨了黑斑产生的影响因素。实验结果表明:黑斑密集程度随电压的升高而增大,温度对其影响较小,其成因可能为局部温度过高所致。
- 李宏章钊王倩熊德华
- 关键词：阳极键合硅片微晶玻璃黑斑
- 阳极键合强度及其评价方法被引量：5
- 2007年
- 阳极键合作为一种在微机电系统(MEMS)中运用的关键技术,具有工艺简单、键合强度高、密封性好等优点。经过几十年的发展,该技术在键合机理和提高与评价键合强度等诸多方面都得到了很大的发展,并应用于越来越多的领域。对阳极键合技术的机理、键合基片材料的发展以及键合强度的评价方法等方面进行了综述和评价,并对阳极键合技术在MEMS中的发展趋势作出展望。
- 曹欣李宏杜芸
- 关键词：阳极键合键合强度硅片
- 硅/微晶玻璃阳极键合工艺对键合强度的影响被引量：2
- 2009年
- 半导体硅与玻璃的阳极键合技术是微机电系统的关键封装技术,国内外普遍采用硼硅酸盐玻璃作为与硅片封装的阳极键合基片材料,封装温度高达500℃。实验采用Li2O-Al2O3-SiO2（LAS）系统微晶玻璃代替传统的硼硅酸盐玻璃,在200-400℃温度条件下实现了硅/微晶玻璃阳极键合,并分析了电压、温度、时间和压力等工艺参数对键合效果的影响,结果表明在250℃、500 V、10 min和0.5 MPa的条件下,微晶玻璃和硅片实现了良好键合。
- 章钊李宏杜芸程金树
- 关键词：硅片微晶玻璃阳极键合键合强度
- 阳极键合用微晶玻璃的组成与析晶性能
- 2007年
- 以Li2O-Al2O-SiO2（LAS）系统微晶玻璃为研究对象，目的是开发新型微晶玻璃以代替现有的阳极键合用耐热玻璃。采用传统熔体冷却方法，研究以TiO2，ZrO2和P2O3为晶核剂，以Sb2O3为澄清剂，以含Na20，MgO，ZnO的Li20—Al2O3-SiO2系微晶玻璃为基础组成，采用二步法热处理制度制备出符合阳极键合要求的微晶玻璃材料。利用X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微分析（SEM）等测试技术对微晶玻璃的晶相和显微结构进行了测试与分析。结果表明，微晶玻璃的主晶相为p锂辉石或β-石英固溶体，热膨胀系数为（20．207～31．113）×10^-7℃^-1。
- 李宏曹欣何粲程金树
- 关键词：阳极键合微晶玻璃晶核剂析晶
- 阳极键合后基片呈现黑斑原因及影响因素
- 半导体硅与玻璃的阳极键合技术是微机电系统(Micro Electronic Mechanical System简称MEMS)的关键封装技术,微晶玻璃相比传统的阳极键合用玻璃,具有键合温度低、键合强度高、键合质量好等优点。...
- 李宏章钊王倩熊德华程金树
- 关键词：阳极键合硅片微晶玻璃黑斑
- 文献传递
- 无机膜材料研究应用现状及展望被引量：7
- 2007年
- 膜材料作为膜分离技术的核心越来越受到人们的关注。简要概述了膜技术的应用现状,重点介绍了无机膜材料的分类、制备以及无机膜材料的应用。分别列举了各类典型的无机膜材料及其制备方法,并对无机膜材料今后研究的方向进行了展望。
- 李宏熊德华
- 关键词：无机膜材料
