北京市科委重大项目(D0404003040221)
- 作品数：25 被引量：62H指数：5
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- AlInGaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器温度特性的对比研究被引量：2
- 2006年
- 通过测量、对比材料生长和器件制备条件基本相似,但是谐振腔腔模波长与增益峰值波长相对位置明显不同的两类氧化物限制型应变AlInGaAs/AlGaAs量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)在261—369K温度范围内输出光功率_电流的变温曲线,同时结合测试得到的两类样品的白光反射谱、光荧光谱以及模拟计算得到的不同温度下VCSEL反射谱和增益谱,分析了输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度变化的关系,掌握了新材料AlInGaAs的温度特性,得到了谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置对VCSEL输出特性,尤其是对阈值的影响规律,指出获得室温工作阈值最低且稳定的VCSEL的一个方法是调整谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置,并利用这种方法获得了特征温度T0=333K的AlInGaAs/AlGaAs量子阱VCSEL器件.
- 陈敏郭霞关宝璐邓军董立闽沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 激光剥离Al_2O_3/GaN中GaN材料温度场的模拟被引量：2
- 2006年
- 对激光剥离Al2O3/GaN技术,建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型。计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时,GaN外延层内的温度场分布,由此得到激光剥离的阈值条件。采用紫外KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,样品表面显微镜和端面扫描电镜(SEM)测试照片说明,计算结果与实验现象相符。进一步分析表明,脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数,适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在100nm以内,实现高效低损伤激光剥离。
- 王婷郭霞刘斌沈光地
- 关键词：温度场激光剥离脉冲激光GAN
- 隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量：1
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合。稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度。沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快。芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心。
- 张蕾崔碧峰段天利马楠郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器瞬态稳态隧道再生
- 半导体激光器结温测试研究被引量：6
- 2007年
- 提出了一种测试结温的简便易行的新方法,用此方法能够较准确地测量出激光器在直流工作时的结温。通过改变环境温度得到激光器正向电压的温度系数dVf/dT,再改变电流应力测得正向电压随电流的变化率dVf/dI。其中,由理论计算得到dVf/dT推出的温度随电流的变化率ΔT/ΔI为31.9℃/A,由实验得到dVf/dT推出的ΔT/ΔI为37.2℃/A。把这两者和常规的波长漂移法得到的结果ΔT/ΔI≈29.7℃/A进行比较,结果基本一致,从而证明了新方法的可行性。
- 罗丹郭伟玲徐晨舒雄文沈光地
- 关键词：半导体激光器结温温度系数
- Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响被引量：1
- 2007年
- 用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构。分别采用1 000 ml/min和400 ml/min的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析。发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响。
- 林委之李建军于晓东邓军廉鹏韩军邢艳辉沈光地
- 关键词：红光LED金属有机物化学气相沉积
- 一种与光纤高效耦合的新型大光腔大功率半导体激光器被引量：3
- 2007年
- 提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器,提高了激光器激射窗口的宽度,得到低于20°的垂直发散角,从而提高了光纤输出的耦合效率.对多种形式和规格的透镜光纤的测试结果表明,耦合效率可以提高30%以上.
- 于海鹰崔碧峰陈依新邹德恕刘莹沈光地
- 关键词：半导体激光器大光腔光纤耦合透镜光纤
- GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究被引量：12
- 2007年
- 通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论。
- 林巧明郭霞顾晓玲梁庭郭晶沈光地
- 关键词：GAN发光二极管峰值波长热效应极化
- 离子源放电电流对真空室压力影响机理研究被引量：1
- 2006年
- 揭示了真空室压力随离子源放电电流增长,而且在不同的气流速率时的增长率不同这一现象,并对其机理进行了分析,认为真空室压力随放电电流的增长主要是离化粒子束流密度的增长引起的,当然离化粒子的平均能量的增长也起了作用,而在不同气流速率时该压力增长率的不同则主要是因为在不同的气流速率时离化率不同。
- 舒雄文徐晨田增霞沈光地
- 关键词：放电电流离化
- 隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究被引量：4
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入电流占空比的增加而增加,热弛豫积累时间小于200ms。芯片内部温度分布表明,靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度,但温度差较小,热效应造成的波长漂移不会造成双峰现象。实验测量了在相同的边界条件下,不同占空比下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。
- 张蕾崔碧峰沈光地郭伟玲刘斌王智群
- 关键词：半导体激光器隧道再生占空比
- p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究
- 2008年
- 通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低于p-GaN与Ni/Au的欧姆比接触电阻,通过分析认为这是由InGaN层的极化效应导致接触势垒降低和载流子隧穿几率增大造成的,但同时受样品表面形貌和InN本身固有的积累电子层的特性影响,当InGaN层的厚度超过这一特定值后其接触特性反而比p-GaN差。
- 林巧明郭霞梁庭顾晓玲郭晶沈光地
- 关键词：铟镓氮欧姆接触极化
