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铜掺杂纳米氧化锌薄膜的制备及光学特性被引量：4: 2013年; 氧化锌(ZnO)是一种新型稀磁半导体材料,有优良的磁学及光学性质,透明度高,常温发光性能优异。根据半导体掺杂原理,以氧化锌为原料,过渡金属元素铜为掺杂元素,采用化学气相沉积法(CVD),制备了铜掺杂纳米氧化锌薄膜。利用晶向显微镜观察ZnO∶Cu在衬底硅片上的表面形貌和生长情况,利用光致发光谱和分光光度计分析了样品的光发射和光吸收特性,研究了薄膜的伏安特性。发现铜掺杂对氧化锌薄膜的光吸收和光发射以及表面伏安特性都有很大的影响。随铜掺杂含量的增加,光吸收强度明显增大,光发射峰更加丰富。适当掺杂量的情况下,电流明显增大,但掺杂量太大,会引入缺陷和晶界,反而会使漏电流增大。10%-20%掺杂量为比较理想的掺杂量。; 张浩王鑫董洁雯邵雪峰马锡英; 关键词：化学气相沉积法吸收谱光致发光伏安特性

钙钛矿型太阳电池的研究进展: 2015年; 钙钛矿型材料因独特的氧八面体共顶点连接结构,而具有优异的热稳定性和光电特性,可作为太阳电池的光吸收层。介绍了钙钛矿型太阳电池的几种主要制备方法:如气相沉积法、溶液制备法以及溶液共蒸发法等,讨论了钙钛矿型太阳电池的几种制备方法在国内外的研究现状以及各自的优缺点。同时,介绍了几种典型的钙钛矿型材料和这些材料的一些性能参数,其中性能较为优越的是有机无机混合卤素钙钛矿型材料,其光电转换效率已经接近20%。最后,对钙钛矿型太阳电池未来的发展方向进行了展望,认为需要寻找有利于保护环境且制备成本更低的新材料,同时提高器件的稳定性。; 孟淼飞马锡英; 关键词：太阳电池气相沉积法

用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜及其电学性能研究被引量：1: 2013年; 以甲烷作为反应气体、利用高温化学气相沉积法分别在纯硅片和镀镍镉过渡层硅片上沉积石墨烯薄膜,应用金相显微镜和电学特性测试分析了700,900,950℃温度下生长的石墨烯薄膜的表面形貌、伏安特性及其他电学特性.发现镍铬过渡层具有显著的催化作用,可有效降低石墨烯的生长温度.随着生长温度的升高,样品中电子迁移率随之增大,伏安特性的线性度也越好.对纯硅片上生长的石墨烯,发现高温有利于甲烷有效分解和成核,可有效提高表面电子浓度和电子迁移率,其迁移率可达到2.52×104 cm2/V.; 张浩董洁文吕孝鹏王鑫许元鲜邵雪峰王珊珊邓雅丽陈康烨马锡英; 关键词：石墨烯化学气相沉积法金相显微镜电学性质

MoS_2/ZnO异质结的光电特性被引量：3: 2015年; 采用化学气相沉积法在Si衬底上先后沉积了Ag掺杂的MoS2薄膜和Ag掺杂的ZnO薄膜,形成MoS2/ZnO异质结.研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性和电学特性,对比分析了MoS2/ZnO异质结的光吸收特性和有无光照下的I-V特性,并对其导电机理进行了研究.实验结果表明:MoS2和ZnO薄膜表面均匀平整,结晶度较好;Ag掺杂的MoS2和Ag掺杂的ZnO的薄膜具有较高的电子迁移率,分别为1.57×103 cm2/(V·s)和6.17×103 cm2/(V·s);MoS2/ZnO异质结具有较好的整流效应和光电响应特性.; 朱芸米文俊马金楼王强马锡英; 关键词：化学气相沉积光电特性迁移率

石墨烯/硅肖特基太阳能电池的光电特性被引量：2: 2013年; 以甲烷作为反应气体,利用化学气相沉积法在硅衬底表面上沉积石墨烯薄膜,制备了石墨烯/硅肖特基太阳能电池.利用原子力显微镜和拉曼光谱观察了石墨烯薄膜的表面形貌,并用紫外-可见光光谱仪和光-电流测试仪器研究了石墨烯样品和太阳电池的光电特性.实验结果表明:制备的石墨烯薄膜厚度为几个原子层,薄膜表面均匀,并具有良好的电学特性,石墨烯/硅太阳能电池的能量转换效率可达3.7%.; 吕孝鹏邓雅丽许元鲜王珊珊何杰马锡英; 关键词：石墨烯太阳能电池光电性质

退火温度对MoS2纳米薄膜特性影响研究: 2013年; 本文主要采用化学气相沉积法,以MoS2饱和溶液为原料,利用氩气为输运气体,携带MoS2蒸汽进入反应室,在Si衬底上制备大面积均匀的MoS2超薄薄膜,并分析了不同的退火温度对于薄膜表面形貌、吸收特性以及电学特性的影响。研究发现,经过850℃退火的二硫化钼薄膜平整,厚度和晶粒尺寸也逐渐均匀。另外,随退火温度升高,MoS2超薄膜反射率降低,可显著提高器件光伏效应和光电转换效率,制备高效率的MoS2/Si异质结太阳能电池。退火还可以改善薄膜的电学特性,经过850℃退火的薄膜,其导电率达到了2.848×10?4,霍尔迁移率高达6.42×102 cm 2V?1s?1,可用于制造超低待机功率的场效应管。通过分析不同退火温度对纳米MoS2薄膜光电特性的影响,得出纳米MoS2薄膜的最佳退火温度为850℃,这促进了MoS2纳米电子器件的发展,推进了MoS2在光电子领域以及信息技术方面的广泛应用。; 林拉陈康烨何杰张国瑞顾伟霞马锡英; 关键词：退火形貌分析电学特性

硅烯的研究进展被引量：2: 2014年; 硅烯是一种硅原子呈蜂窝状排列的二维纳米材料。主要介绍了硅烯分别在Ag(111)衬底、Ir(111)衬底和ZrB2衬底表面生长的机理和研究成果,并讨论了在不同衬底上制备硅烯的异同。同时还简要地说明了关于硅烯理论预测的一些性质和应用,如在外部垂直电场下,硅烯的可调带隙;在磁光响应下,硅烯的谷自旋偏振等,这些性质和应用说明了硅烯可被广泛应用于未来的纳米电子器件。最后,对硅烯未来的研究、发展方向和应用前景做了展望,认为硅烯的工艺制备方面有待进一步拓展,硅烯也有着更好的应用前景。; 王强马锡英; 关键词：硅烯

单层硫化钼的研究进展被引量：2: 2013年; 单层硫化钼(MoS2)是具有直接帯隙1.8 eV的二维半导体,因其特殊的六方晶系层状结构,而具有优异的物理和化学性质。简要介绍了MoS2材料的几种主要制备方法:如高温硫化法、水热法以及表面活性剂促助法等,讨论了各种制备方法在国内外的研究现状及优缺点。给出了单层MoS2在晶体管、集成电路、逻辑运算等方面的一些应用。与硅晶体管相比其晶体管体积更小、更省电,并可减少短通道效应,电流开/关比例高于1010。这些应用说明了其可被广泛应用于未来的纳米电子器件。最后,对MoS2未来的发展方向进行了展望,认为工艺制备方法有待进一步改善,单层MoS2的应用领域也有待进一步深入拓展。; 顾伟霞马锡英; 关键词：水热法纳米电子器件

石墨烯薄膜的化学气相法制备及光、电特性研究被引量：2: 2012年; 利用化学气相沉积方法制备了石墨烯薄膜,并研究了其光电特性。以乙醇做反应原料、氩气作为携载气体,在873 K、973 K、1 073 K的温度下合成石墨烯薄膜。应用光学显微镜观察,发现在1 073 K时能够制备大面积均匀、平整光滑的石墨烯薄膜。纳曼光谱分析结果表明:制备的石墨烯薄膜出现2 650 cm-1的石墨烯的特征峰-D强峰,同时该峰强度随温度的升高而迅速增强,说明低温不能使沉积的碳原子有效的石墨化为石墨烯,而较高的温度有助于乙醇分解并石墨化为石墨烯薄膜。在1 073 K时沉积的石墨烯薄膜具有良好的光、电特性,其电子迁移率可以达到104 cm2.(V.s)-1,光透射率达97%,因此,可用于制备石墨烯晶体管、太阳能电池等光电子器件。; 祖丰硕王滩石岩朱峰丁澜张浩董洁雯马锡英; 关键词：石墨烯化学气相沉积电子迁移率

热沉积法制备纳米二硫化钼薄膜及其光电特性研究被引量：7: 2013年; 以MoS2粉末为原料，以氩气为携载气体，在400-600℃温度范围内利用热蒸发方法在硅衬底表面制备了不同厚度的MoS2薄膜．利用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了MoSz薄膜的结构和表面形貌，发现Mos2薄膜由多晶MoS2粒子组成，颗粒均匀，平均纳米颗粒尺寸约为60nm．利用紫外可见光光谱仪测量了其吸收特性，发现样品在720nm附近有很强的吸收．应用霍尔效应和伏安法研究了Mos2／Si样品的接触特性和电子的运输特性，发现该异质结具有良好的整流特性，即正向电压下电流随电压呈指数增长，而在反向偏压下漏电流很小，电子迁移率可达到6．730×10^2cm2／（V·s）．实验结果表明MoS2薄膜具有良好的电学特性，可用来制备晶体管和集成电路等器件．; 何杰陈康烨林拉张国瑞顾伟霞马锡英; 关键词：二硫化钼

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苏州市科技计划项目(SYG201121)

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