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国家自然科学基金(60876034)

作品数:6 被引量:20H指数:3
相关作者:张永刚顾溢王凯李耀耀李成更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇激光
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇光谱
  • 2篇光声
  • 2篇光声光谱
  • 2篇红外
  • 2篇波长
  • 2篇INGAAS
  • 1篇异质结
  • 1篇英文
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元方法
  • 1篇元方法
  • 1篇中红外
  • 1篇双异质结
  • 1篇气体传感
  • 1篇气体检测

机构

  • 5篇中国科学院
  • 5篇中国科学院研...

作者

  • 5篇张永刚
  • 3篇李成
  • 3篇李耀耀
  • 3篇王凯
  • 3篇顾溢
  • 2篇张晓钧

传媒

  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇半导体光电
  • 1篇Chines...

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 μm被引量:1
2010年
The structural and optical characteristics of InP-based compressively strained InGaAs quantum wells have been significantly improved by using gas source molecular beam epitaxy grown InAs/Ino.53Ga0.47As digital alloy triangular well layers and tensile Ino.53Ga0.47As/InAiGaAs digital alloy barrier layers. The x-ray diffraction and transmission electron microscope characterisations indicate that the digital alloy structures present favourable lattice quality. Photo- luminescence (PL) and electroluminescence (EL) measurements show that the use of digital alloy barriers offers better optical characteristics than that of conventional random alloy barriers. A significantly improved PL signal of around 2.1μm at 300 K and an EL signal of around 1.95μm at 100 K have been obtained.
顾溢王凯李耀耀李成张永刚
基于半导体激光器的光声光谱气体检测及其进展被引量:9
2009年
介绍了半导体光声光谱气体检测的基本工作原理和相关技术,阐述了半导体激光光源特别是中红外半导体激光器的研究进展及其与光声光谱方法结合的应用现状,讨论了声信号的常用检测方法与改进方案,并展望了发展和应用的新方向。
张晓钧张永刚
关键词:半导体激光器光声光谱中红外量子级联激光器谐振
双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究被引量:2
2009年
模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用。在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性。
李成李好斯白音李耀耀王凯顾溢张永刚
关键词:探测器暗电流INGAAS
红外激光光声光谱气体传感谐振腔分析(英文)被引量:3
2010年
设计制作了适合中红外激光光声光谱气体检测用的圆柱形光声腔,采用有限元法对其声信号的传输和探测进行了模拟分析并与实际测量结果进行了系统的比较.结果表明此光声腔中的二阶纵模在4.2KHz附近具有最大的共振幅度和适中的Q值,十分适合中红外光声光谱气体传感应用.
张晓钧张永刚
关键词:光声光谱气体传感有限元方法
异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善被引量:3
2009年
采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.
王凯张永刚顾溢李成李好斯白音李耀耀
关键词:INXGA1-XAS位错
晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)被引量:3
2010年
利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、X射线衍射、光致发光和器件特性测试对样品进行了表征。结果显示该晶格失配度达2.6%的探测器结构具有较好的表面形貌、较大的晶格弛豫度和理想的光学特性。器件室温截止波长约为2.9μm,直径为300μm的器件室温下在反向偏压10mV时的暗电流为2.56μA。
顾溢李成王凯李好斯白音李耀耀张永刚
关键词:光电探测器缓冲层INGAAS晶格失配
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