公安部应用创新计划(2007YYCXGADX101)
- 作品数：3 被引量：18H指数：1
- 相关作者：卜凡亮李丽华王蓉金华张立功更多>>
- 相关机构：中国人民公安大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所南京信息工程大学更多>>
- 发文基金：公安部应用创新计划国家科技支撑计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- SiC纳米棒的紫外发光研究
- 2009年
- 采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解的方法制备了3C-SiC纳米棒,在室温下观察到来自纳米棒的378nm(3.3eV)强紫外发射.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线衍射对样品的形貌和结构进行表征,观察到在该结构中存在类似6H-SiC结构的三层堆垛层错.利用室温荧光光谱和室温荧光衰减曲线研究了强紫外发射的产生机理,紫外发射来源于3C-SiC纳米棒中的三层堆垛层错的发光.
- 金华卜凡亮王蓉李丽华杨为佑张立功安立楠
- 关键词：碳化硅纳米棒光致发光
- 太赫兹光谱技术的应用进展被引量：18
- 2009年
- 近年来太赫兹(THz)技术快速发展,在安全检测、航空航天、生命科学、化学等领域应用日趋广泛。由于许多炸药及其相关材料在THz波段具有特征吸收,许多非金属、非极性材料对THz波是透明的,且太赫兹波具有低能性,THz光谱技术在安检中具有巨大的应用潜力。本文介绍了太赫兹波的特性和国内外在太赫兹领域的研究进展,详细介绍了太赫兹波在爆炸物、毒品和包装材料检测中的应用,并讨论了在应用中存在的困难和面临的挑战。
- 卜凡亮行鸿彦
- 关键词：太赫兹光谱安全检测
- ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子复合
- 2008年
- 采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合.观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿现象.改变垒层厚度会对量子阱和量子点的发光产生显著影响.在垒层较薄的阱/点耦合结构中,隧穿效应可以有效地抑制量子阱中的带填充和饱和效应.
- 金华卜凡亮李丽华王蓉张振中张立功郑著宏申德振
- 关键词：光致发光隧穿
