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国家自然科学基金(10404018)

作品数：3 被引量：6H指数：1
相关作者：孙华宋亚舞李振亚更多>>
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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 1篇氧化物材料
  • 1篇有效介质理论
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋极化
  • 1篇介质
  • 1篇复合结构
  • 1篇半金属
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇磁电阻效应
  • 1篇VAN

机构

  • 3篇苏州大学

作者

  • 3篇孙华
  • 2篇宋亚舞
  • 1篇李振亚

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇苏州大学学报...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
非磁性半导体异常磁电阻效应的有效介质理论被引量：1
2008年
有效介质理论自洽方程被用来研究非磁性半导体材料的异常磁电阻效应.通过建立两组分无序电导网络,同时引入组分的霍尔效应,计算了体系的有效电导张量随磁场和组分浓度的变化关系.结果表明,当两种组分具有不同类型的载流子时,体系中各组分零场电阻的差异将导致在垂直磁场和平行磁场方向上产生异常的磁电阻效应.这些宏观的磁电阻效应来源于体系中的非均匀性,并与组分的几何逾渗结构具有明显的关联.
宋亚舞孙华
半导体-金属复合结构中的异常磁电阻效应分析
2008年
从电磁方程的解析解出发,分析高对称性van der Pauw disk装置的异常磁电阻效应,重点研究该体系的几何非均匀性与物理非均匀性对整体磁电阻效应的影响.通过定义三个非均匀参数表征体系的非均匀性,给出该装置中电磁输运性质随非均匀系数的变化.计算结果表明,体系的磁电阻比值在一定的几何非均匀结构下达到最优化,整个装置在磁场下呈现出良好的开关效应.同时,材料在迁移率和电阻率上的非均匀性对异常磁电阻效应产生明显影响.特别地,组分电阻率的差别导致异常磁电阻效应出现符号翻转.
宋亚舞孙华
关键词：VAN
高自旋极化氧化物材料的颗粒边界磁电阻效应被引量：5
2005年
颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。
孙华李振亚
关键词：自旋极化磁电阻半金属
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