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调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究被引量：4: 2006年; 在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理论分析.; 舒强舒永春张冠杰刘如彬姚江宏皮彪邢晓东林耀望许京军王占国; 关键词：二维电子气量子霍尔效应

量子点红外探测器的特性与研究进展被引量：3: 2005年; 半导体材料红外探测器的研究一直吸引人们非常广泛的兴趣.以量子点作为有源区的红外探测器从理论上比传统量子阱红外探测器具有更大的优势.文章讨论了量子点红外探测器几个重要的优点,包括垂直入射光响应、高光电导增益、更低的暗电流、更高的响应率和探测率,等等.此外,报道了量子点红外探测器研究中一些最新的实验结果.在此基础上,分析了现存问题,并提出了进一步提高器件性能的几种可能途径.; 张冠杰舒永春姚江宏舒强邓浩亮贾国治王占国; 关键词：量子点红外探测器暗电流探测率红外探测器量子点半导体材料垂直入射

光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充: 2007年; 采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于小量子点;(2)捕获载流子速率,大量子点小于小量子点;(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷,导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小。; 贾国治姚江宏张春玲舒强刘如彬叶小玲王占国; 关键词：光致发光谱量子点

量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究被引量：1: 2007年; 多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义．利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程。研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系;而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减．高密度量子点阵列中,载流子被热激发到浸润层后,部分地被大量子点再俘获,即在量子点族间转移;低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制．不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差．; 刘国梁姚江宏许京军王占国; 关键词：光电子学光致荧光速率方程热激发

俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响被引量：1: 2007年; 通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高．; 贾国治姚江宏刘国梁柏天国刘如彬邢晓东; 关键词：光电子学应变量子阱阈值电流密度

MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers: 2005年; The molecular beam epitaxial growth of high quality epilayers on （100） InP substrate using a valve phosphorous cracker cell over a wide range of P/In BEP ratio （2.0-7.0） and growth rate （0.437 and 0. 791μm/h）. Experimental results show that electrical properties exhibit a pronounced dependence on growth parameters,which are growth rate, P/In BEP ratio, cracker zone temperature, and growth temperature. The parameters have been optimized carefully via the results of Hall measurements. For a typical sample, 77K electron mobility of 4.57 × 10^4 cm^2/（V · s） and electron concentration of 1.55×10^15 cm^-3 have been achieved with an epilayer thickness of 2.35μm at a growth temperature of 370℃ by using a cracking zone temperature of 850℃.; 舒永春姚江宏林耀望邢小东皮彪徐波王占国许京军; 关键词：SSMBE

半导体可饱和吸收镜实现超短高功率脉冲激光研究进展被引量：8: 2007年; 介绍了半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构及使用半导体可饱和吸收镜被动锁模固态激光器的基本原理。综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进展,并指出量子点半导体可饱和吸收镜的使用将加速超短高功率脉冲的发展。; 舒强舒永春刘如彬陈琳姚江宏许京军王占国; 关键词：激光技术半导体可饱和吸收镜被动锁模

产生超短脉冲的光泵浦垂直外腔面发射激光器的研究进展被引量：2: 2006年; 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)在产生超短脉冲方面显示了优越的特性,在脉冲宽度、平均输出功率和脉冲重复频率等方面都得到了与传统超短脉冲激光器可比的结果,显示出巨大的发展潜力。本文综合分析了用于产生超短脉冲的OPS-VECSEL的基本原理和最新研究进展,并探讨了该领域的发展方向和应用前景。; 刘如彬舒永春张冠杰舒强林耀望姚江宏王占国; 关键词：超短脉冲

近红外波段InAs量子点结构与光学特性被引量：3: 2007年; 采用分子束外延技术,分别在480,520℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7ML的InAs/GaAs量子点。用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布。结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010,5.0×109cm-2,提高生长温度有利于获得大尺寸的量子点,并且量子点按高度呈双模分布。结合光致发光谱的分析,在480℃的生长条件下,最近邻量子点之间的合并导致了量子点尺寸的双模分布;而在525℃的生长温度下,In偏析和InAs解析是形成双模分布的主要原因。; 贾国治姚江宏舒永春王占国; 关键词：量子点分子束外延光致发光原子力显微镜

生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响被引量：6: 2008年; 研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明In含量<0.2,生长温度低于560℃时,In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。; 贾国治姚江宏舒永春邢晓东皮彪; 关键词：应变量子阱偏析光致发光谱

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