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国家重点基础研究发展计划(G2001CB3095)

作品数:28 被引量:143H指数:7
相关作者:王太宏蒋最敏张志勇孙劲鹏方泽波更多>>
相关机构:中国科学院复旦大学南京工业大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市科委重大科技攻关项目更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 28篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 12篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇纳米
  • 7篇晶体管
  • 6篇库仑阻塞
  • 5篇单电子晶体管
  • 4篇量子
  • 4篇纳米管
  • 4篇金属
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 3篇电路
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇量子点
  • 3篇半导体
  • 2篇单电子存储器
  • 2篇噪声
  • 2篇散粒噪声
  • 2篇势垒
  • 2篇随机存储器
  • 2篇隧穿

机构

  • 17篇中国科学院
  • 6篇复旦大学
  • 2篇南京工业大学
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇南京大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇绍兴文理学院

作者

  • 15篇王太宏
  • 5篇蒋最敏
  • 4篇张志勇
  • 3篇朱燕艳
  • 3篇陈圣
  • 3篇孙劲鹏
  • 3篇方泽波
  • 2篇陆昉
  • 2篇杨金龙
  • 2篇王兵
  • 2篇吴凡
  • 2篇朱清时
  • 2篇赵普琴
  • 2篇樊永良
  • 2篇薛菲
  • 2篇侯建国
  • 2篇徐润
  • 1篇李树深
  • 1篇丰平
  • 1篇常凯

传媒

  • 10篇物理学报
  • 4篇物理
  • 4篇微纳电子技术
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇江西科学
  • 1篇Journa...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子技术

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 3篇2004
  • 8篇2003
  • 8篇2002
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
温度对CdS纳米颗粒形状和光致发光特性的影响
2007年
采用反胶束法,在常温和低温下(接近零度)合成了硅土包裹的CdS纳米颗粒.高分辨电镜表明常温下合成的颗粒呈现直径小于5 nm的球形,而在低温下出现了短棒形和长达微米量级的线形.通过对实验过程的分析表明:不仅合成CdS纳米颗粒溶液的浓度,而且温度对CdS纳米颗粒的形状产生了重要的影响.进一步研究了CdS纳米颗粒的光致发光特性.
薛洪涛赵普琴
关键词:温度光致发光
掺杂Mn^(2+)的浓度对CdS纳米颗粒光致发光的影响(英文)被引量:3
2006年
采用反胶束法,合成了硅土包裹的掺有不同浓度的Mn2+的CdS纳米颗粒.高分辨电镜表明这些颗粒的直径小于5 nm.仅仅改变Mn2+的掺杂浓度,研究了这些颗粒的光致发光谱和光致发光激发谱,结果表明:Mn2+浓度的大小对掺杂CdS纳米颗粒的发光产生了重要的影响.通过电子顺磁共振谱的测量和分析揭露了Mn2+浓度影响这些掺杂颗粒发光效率的原因.
赵普琴
关键词:光致发光
Er_2O_3薄膜的电学性质研究被引量:1
2005年
Er2O3是一种很有希望的高κ材料。在氧气氛下热蒸发金属铒源,制备了Er2O3的薄膜,随后在氧气氛下对它进行了退火。通过对其C-V及I-V特性的测试,认为该材料的电学特性优秀,应该进行进一步的研究。
陈圣徐润朱燕艳方泽波薛菲樊永良蒋最敏
量子点器件的三端电测量研究被引量:4
2003年
利用三端电测量方法 ,研究了调制掺杂二维电子气结构的量子点器件输运特性 .报道了可分别测量二维电子气电阻和量子点隧穿电阻的实验方法 .实验结果表明 :量子点的横向耦合控制了量子点器件在小偏压下的电输运特性 .
竺云王太宏
关键词:自组装量子点二维电子气量子隧穿肖特基接触电输运特性
非晶化与量子限域效应被引量:2
2003年
当材料尺度减小到几个纳米时 ,材料内部电子结构会表现为分立能级 ,这就是所谓的量子限域效应 .通过晶态和非晶Pd纳米颗粒的单电子隧穿实验发现 ,在晶态Pd颗粒中能观察到量子限域效应 ,而在同样大小的非晶Pd颗粒中却没有观察到 .考虑到有序 /无序结构的静态效应并结合电子散射等动态效应 ,解释了非晶Pd颗粒实验中没有观察到量子限域效应的原因 .这一结果表明 ,尺寸减小并不足以使纳米体系表现量子行为 。
鲁山王兵杨金龙侯建国朱清时
关键词:非晶化量子限域效应金属纳米颗粒纳米材料电子结构
通过单电子泵实现对单电子运动的控制及其相图分析被引量:5
2003年
介绍了单电子泵的工作原理 ,讨论了如何利用库仑阻塞和单电子隧穿实现对单电子泵中单个电子运动的控制 ,从而给出它的相图 ,并由此得到了单电子泵的一个重要用途 ,即控制微小电流 .指出栅极可能引入的随机电荷对单电子泵的应用并无影响 .
吴凡王太宏
关键词:库仑阻塞相图量子效应
单电子晶体管的制备、集成与电路研究被引量:6
2002年
我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成方法和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力(跨导),利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏惑的探测技术(包括超敏感的库仑计),实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器。
王太宏
关键词:单电子晶体管单电子存储器晶体管电路
锗硅双层量子点的光电流特性被引量:1
2002年
在分子束外延 (MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构 ,并对样品进行光电流谱的测试。通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置 ,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化 ,所得到的光电流谱的峰位也将因此而改变。由光电流谱得到的实验结果与常规的光致发光谱的结果相吻合。与单层锗量子点结构相比 ,双层结构的样品在光电特性上有着明显不同 :光电流谱中 ,在 0 .767e V及 0 .869e V处出现了两个峰 ,分别对应于载流子在不同的量子点层中的吸收。
周浩蒋最敏陆昉
关键词:光电流光致发光谱分子束外延
大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱被引量:2
2005年
在低温15K和0~9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.
马宝珊王晓东骆军委苏付海方再利丁琨牛智川李国华
关键词:凝聚态物理学光致发光砷化铟量子点
RF SET超灵敏静电计
2003年
单电子晶体管 (SET)作为灵敏静电计的灵敏度受到噪声的限制 ,其中散粒噪声 (shotnoise)是本征噪声 ,决定着单电子晶体管灵敏度的极限 .利用射频 (radiofrequency ,RF)单电子晶体管的极高的工作频率 ,可以消除SET的 1/f噪声 ,从而达到极限灵敏度 .利用一级低温低噪声放大器和一级室温放大器放大工作在反射模式的射频单电子晶体管的输出信号 ,使用LC共振电路 ,抬高了SET右边的整个微波系统的阻抗 ,使之与单电子的输出阻抗匹配 ,从而提高了RFSET静电计的灵敏度 .
张志勇王太宏
关键词:灵敏度散粒噪声库仑阻塞电测量
共3页<123>
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