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国家自然科学基金(60476027)

作品数:4 被引量:5H指数:2
相关作者:陈占国贾刚刘秀环时宝张玉红更多>>
相关机构:吉林大学吉林建筑工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇理学
  • 4篇机械工程

主题

  • 4篇倍频
  • 4篇倍频效应
  • 2篇等效
  • 2篇电场诱导
  • 2篇晶体
  • 2篇极化率
  • 2篇硅晶
  • 2篇硅晶体
  • 2篇二阶极化率
  • 2篇半绝缘
  • 2篇半绝缘GAA...
  • 2篇
  • 1篇双折射
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振态
  • 1篇NONLIN...
  • 1篇TWO
  • 1篇CBN
  • 1篇CRYSTA...
  • 1篇ELECTR...

机构

  • 6篇吉林大学
  • 1篇吉林建筑工程...

作者

  • 6篇贾刚
  • 6篇陈占国
  • 5篇刘秀环
  • 3篇时宝
  • 1篇任策
  • 1篇武文卿
  • 1篇张铁臣
  • 1篇张玉红
  • 1篇曹昆
  • 1篇马海涛
  • 1篇窦庆萍

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇2007年先...
  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
4 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
半绝缘GaAs倍频效应的研究
理论研究了 GaAs 的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形 GaAs 样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播。首次从光电流随基频光偏振方向的变化...
刘秀环陈占国贾刚时宝
文献传递
Nonlinear Current-Voltage Characteristics and Electroluminescence of cBN Crystal被引量:2
2006年
The current-voltage(I-V) characteristics of cBN crystal sandwiched between two metallic electrodes are measured and found to be nonlinear. Over 20 samples are measured at room temperature with various electrodes, and the resulting curves are all similar in shape. When a voltage of about 560V is applied to the cBN crystal, the emitted light is visible to the naked eye in a dark room. We explain these phenomena by the space charge limited current and the electronic transition between the X and Г valleys of the conduction band.
窦庆萍陈占国贾刚马海涛曹昆张铁臣
单晶硅材料电致双折射的研究被引量:3
2008年
首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为Δn=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为Δn′=2.42×10-16E20.5.
张玉红陈占国贾刚时宝任策刘秀环武文卿
关键词:偏振态
半绝缘GaAs倍频效应的研究
2007年
理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播。首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度验证了波长为1.3μm的基频光沿GaAs晶体的[001]方向入射时的倍频吸收各向异性理论;实验测得了样品的光电流随外加偏压的非线性变化关系,实验中没有观察到光电流随外加偏压的增加而饱和的现象,进一步证明了GaAs样品中产生了倍频吸收。
刘秀环陈占国贾刚时宝
关键词:半绝缘GAAS
[111]方向电场诱导的硅的倍频效应
2007年
理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3V点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{110}面入射,从而研究硅的场致倍频效应随基频光偏振方向的变化。设计了底面为(110)面的半球形硅样品,为从实验上研究[111]方向电场诱导的硅的倍频效应,提出了一种实验方案。
刘秀环陈占国贾刚
关键词:硅晶体
[111]方向电场诱导的硅的倍频效应
理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与 C点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{1(?)0}面入射,从而研究硅的场致倍频...
刘秀环陈占国贾刚
关键词:硅晶体
文献传递
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