辽宁省教育厅高等学校科学研究项目(20031008)
- 作品数：6 被引量：39H指数：4
- 相关作者：穆柏春张辉唐立丹陈宏郭学本更多>>
- 相关机构：辽宁工业大学辽宁石化职业技术学院更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：化学工程冶金工程理学更多>>
- 溶胶凝胶-碳热还原法制备Si3N4纳米粉末被引量：4
- 2009年
- 以硅溶胶为硅源,有机碳为碳源,有机氮和氮气为氮源,先采用溶胶-凝胶法制备前驱体,然后进行碳热还原制备Si3N4陶瓷纳米粉体。主要研究了硅碳比、反应温度、氮气流量、保温时间等工艺因素对氮化硅粉体生成的影响。碳热还原制备Si3N4纳米粉体的最佳工艺条件为:碳硅比(摩尔比)为3.5∶1,氮气流量为3L/min,煅烧温度为1500℃,保温时间2h。在以上最佳工艺条件下,可制备出纯的Si3N4纳米粉体,其中α-氮化硅为90.8%,β-氮化硅为9.2%,平均粒径为43.82nm。
- 陈宏穆柏春赵连俊
- 关键词：SI3N4陶瓷纳米粉体溶胶凝胶碳热还原
- 碳热还原氮化制备氮化硅粉体反应条件研究被引量：11
- 2010年
- 对二氧化硅碳热还原氮化合成氮化硅的反应体系进行了热力学和动力学分析,主要研究了反应温度和氮气流量对Si3N4、Si2N2O和SiC生成的影响。热力学研究表明,Si3N4的生成需要足够高的温度(高于1800K)和充足的氮气气氛;Si2N2O的生成条件是较低的温度(低于1700K)和不充足的氮气气氛;SiC的生成条件是更高的温度(高于2000K)和不充足的氮气气氛。试验研究验证了热力学的分析,并确定了碳热还原氮化合成氮化硅的主要工艺条件(氮气流量为3L/min、煅烧温度为1500℃)。在以上工艺条件下,可制备出纯的Si3N4粉体。
- 陈宏穆柏春李辉郭学本
- 关键词：碳热还原氮化硅碳化硅粉体
- 制备工艺对碳化硼陶瓷性能的影响被引量：10
- 2007年
- 以活性炭和碳化硅为烧结助剂,采用真空热压工艺,制备了碳化硼陶瓷材料。研究了真空热压工艺、烧结助剂对碳化硼陶瓷性能及断口的影响,结果表明,以活性炭和碳化硅为烧结助剂的碳化硼陶瓷随热压压力增加,开口孔隙度减小,相对密度和抗弯强度增加。添加活性炭的碳化硼陶瓷在热压压力为35MPa下,开口孔隙度有最小值(1.7%),相对密度(91.7%)和抗弯强度(277.6MPa)达最大值;以碳化硅为烧结助剂的碳化硼陶瓷在热压压力为30MPa下,开口孔隙度有最小值(0.66%),相对密度(91.9%)和抗弯强度(173.6MPa)达最大值。添加活性炭的碳化硼陶瓷随保温时间由30min增加到90min,开口孔隙度逐渐减小而相对密度逐渐增加(90min时分别达到0.19%、99.6%),抗弯强度先增加后减小,在保温时间为60min时抗弯强度达到最大值(351.7MPa)。在相同的真空热压工艺下,添加活性炭的碳化硼陶瓷与添加碳化硅的碳化硼陶瓷相比,其开口孔隙度低,抗弯强度高。初步探讨了真空热压工艺以及添加剂促进碳化硼陶瓷烧结的机理。
- 穆柏春张辉唐立丹
- 关键词：真空热压B4C相对密度抗弯强度保温时间
- Y_2O_3和La_2O_3对B_4C基陶瓷烧结致密化及其结构和性能的影响被引量：5
- 2009年
- 以Al2O3、La2O3、Y2O3和活性碳为烧结助剂,以B4C为基体,采用真空热压烧结技术制备B4C基陶瓷,研究了稀土氧化物对B4C基陶瓷微观结构和性能的影响。结果表明,添加稀土氧化物的试样在1850℃烧结即可得到晶粒排列紧密、性能较佳的B4C基陶瓷。在未添加稀土氧化物的试样中,由于反应生成的新相Al8B4C7较少,烧结不充分,因此试样的性能较低。在添加La2O3的试样中,由于烧结比较充分,烧结体中的新相LaAlO3含量较大,显微组织较理想,因此性能较佳。在添加Y2O3的试样中,残留的Al2O3和C的量很少,生成的Y3Al5O12也较少,因此性能介于前两者之间。
- 穆柏春唐立丹张辉于景媛李强
- 关键词：稀土氧化物烧结助剂
- 烧结助剂对碳化硼陶瓷性能的影响被引量：10
- 2007年
- 以氧化铝、活性碳为烧结助剂,以碳化硼为基体、采用真空热压烧结技术制备碳化硼陶瓷。研究成分配比、烧结工艺对烧结体致密度及力学性能的影响;探讨了添加剂碳化硼陶瓷的烧结机理。结果表明,以氧化铝、活性碳为烧结助剂,采用真空热压烧结工艺,制备出碳化硼陶瓷;碳化硼烧结的最佳材料配方与烧结工艺:B4C:Al2O3:C=70:15:15,烧结温度1930℃,压力20MPa,保温时间1h;所得碳化硼烧结体性能:开口气孔率1.49%,相对密度为90.33%,抗弯强度为144.27MPa,硬度(HRA)95。
- 穆柏春唐立丹张辉
- 关键词：碳化硼陶瓷烧结助剂
- 稀土氧化物对碳化硼陶瓷性能的影响被引量：3
- 2008年
- 以稀土氧化物为主要烧结助剂,以碳化硼粉末为基体,采用真空热压烧结技术制备出碳化硼陶瓷。研究了成分配比、烧结工艺对材料致密度及力学性能的影响;分析了稀土氧化物对烧结温度及材料性能的影响,并确定最佳烧结温度;探讨不同添加剂对碳化硼陶瓷显微结构影响及烧结机理。结果表明,以稀土氧化物为主要烧结助剂,其烧结温度降低约80℃;碳化硼陶瓷的最佳材料配方与烧结工艺为:m(B4C)∶m(La2O3)∶m(Al2O3)∶m(C)=70∶6∶12∶12,烧结温度1850℃,压力20MPa,保温时间1h;所得碳化硼陶瓷性能:相对密度92.5%,抗弯强度156.76MPa,硬度97HRA;分别以氧化铝和活性碳、氧化钇、氧化镧、氧化钇和氧化镧为烧结助剂时,碳化硼陶瓷烧结过程中形成的新相分别为Al8B4C7、Y3Al5O12、LaAlO3、(Y3Al5O12+LaAlO3)。其中含稀土相,尤其是新相LaAlO3与碳化硼颗粒表面有良好的结合,因此提高了致密度,降低了烧结温度。
- 穆柏春唐立丹张辉闫万福尹铁生张婷婷
- 关键词：碳化硼陶瓷真空热压稀土氧化物
