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表面工程技术国家级重点实验室基金(9140C5403010704)

作品数:3 被引量:5H指数:1
相关作者:邱家稳吴春华何延春王洁冰赵印中更多>>
相关机构:中国科学院兰州物理研究所更多>>
发文基金:表面工程技术国家级重点实验室基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇电致变色
  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 2篇电致变色薄膜
  • 2篇太阳吸收率
  • 2篇WO
  • 2篇WO3
  • 1篇带隙
  • 1篇电致变色器件
  • 1篇全固态
  • 1篇热控
  • 1篇膜层
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇SUB
  • 1篇ITO
  • 1篇ITO薄膜
  • 1篇磁控溅射沉积

机构

  • 5篇中国科学院兰...

作者

  • 5篇何延春
  • 5篇吴春华
  • 5篇邱家稳
  • 4篇赵印中
  • 4篇王洁冰
  • 3篇许旻
  • 1篇许曼
  • 1篇李林

传媒

  • 1篇真空与低温
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇2009
  • 2篇2008
3 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
磁控溅射WO3电致变色薄膜的太阳吸收率
采用直流磁控反应溅射工艺制备了WO薄膜。WO薄膜在原始状态和注入Li离子后的平均透射率分别为83%和6%,变化接近77%,表明该WO薄膜具有很好的电致变色性能。根据薄膜的透射率和反射率计算了WO薄膜的太阳吸收率:WO薄膜...
何延春邱家稳吴春华许旻王洁冰赵印中
关键词:太阳吸收率WO3电致变色磁控溅射
文献传递
DC磁控溅射沉积WO_3电致变色薄膜
2008年
采用直流磁控反应溅射工艺制备了WO_3薄膜,在初始状态和注入Li离子后的平均透射率分别为83%和6%,变化接近77%,表明该WO_3薄膜样品具有很好的电致变色性能。根据薄膜的透射率和反射率分别计算了WO_3薄膜的光学带隙:非晶WO_3薄膜的带隙为3.31eV,多晶WO_3薄膜的带隙为3.22eV。
何延春吴春华邱家稳
关键词:WO3电致变色光学带隙
电致变色热控器件ITO膜层的制备与研究
2008年
针对电致变色热控器件的透明导电层开展了ITO薄膜的制备工艺研究,对薄膜制备过程中的几个主要影响因素(溅射压力、氩/氧比例、退火温度等)进行了分析,并测试了薄膜性能,制备的ITO薄膜电阻在100~120Ω/cm左右,在太阳光谱范围的吸收率小于5%,可以满足电致变色器件对透明导电层的要求。
王洁冰何延春许旻邱家稳吴春华赵印中
关键词:电致变色器件ITO薄膜
全固态电致变色热控薄膜的制备与性能?
电致变色材料的光学、热学等性能在电压作用下会发生连续、可逆的变化。利用电致变色材料的这一特性,可以将其制成主动式热控材料,这种器件具有重量轻、体积小、能耗低、控制精度好等优点,非常适合小卫星的热控。目前,这项技术在我国航...
何延春邱家稳许旻王洁冰吴春华赵印中李林
关键词:全固态电致变色热控磁控溅射
文献传递
磁控溅射WO_3电致变色薄膜的太阳吸收率被引量:5
2009年
采用直流磁控反应溅射工艺制备了WO_3薄膜。WO_3薄膜在原始状态和注入Li离子后的平均透射率分别为83%和6%,变化接近77%,表明该WO_3薄膜具有很好的电致变色性能。根据薄膜的透射率和反射率计算了WO_3薄膜的太阳吸收率:WO_3薄膜在着色态和褪色态的太阳吸收率分别为0.780和0.123。
何延春邱家稳吴春华许曼王洁冰赵印中
关键词:太阳吸收率电致变色磁控溅射
共1页<1>
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