福建省教育厅科技项目(JB08215)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：陈松岩赖虹凯李成阮育娇张小英更多>>
- 相关机构：厦门大学厦门理工学院更多>>
- 发文基金：福建省教育厅科技项目国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用被引量：2
- 2011年
- 本文采用分子束外延(MBE)系统在Si(100)表面淀积Se薄膜.通过控制衬底和固态Se束源炉的温度,实现了Se材料在Si(100)表面上的自限制超薄薄膜生长;在Se超薄层钝化的Si(100)表面上制备的Ti金属电极具有低的欧姆接触电阻特性,且热稳定性温度提升至400℃.
- 潘书万亓东峰陈松岩李成黄巍赖虹凯
- 关键词：硒钝化欧姆接触
- Si/Si低温键合界面的XPS研究
- 2010年
- 利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.
- 张小英阮育娇陈松岩王元樟甘亮勤杜旭日
- 关键词：硅片键合XPS
- GaN基LED与Si键合技术的研究被引量：1
- 2010年
- 采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。
- 阮育娇张小英陈松岩李成赖虹凯汤丁亮
- 关键词：晶片键合激光剥离GAN基LED
